55纳米相变存储技术被中国企业突破

以“‘芯’时代、‘存’世界”为主题的“2013宁波时代全芯科技产品发布会”在宁波举行。现场发布了55纳米相变存储技术，宁波时代全芯科技有限公司成为继韩国三星、美国美光之后，第三家拥有这项技术的企业，打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面，据悉该企业2014年投入量产，产业化前景可观。

发布会现场，宁波市政府相关部门的领导、宁波鄞州工业园区的领导、行业专家和教授以及客户代表、媒体记者约200人见证了55纳米相变存储技术的发布。

相变存储进入商用化阶段

从静态随机存储技术（SRAM）到动态随机存储技术（DRAM）再到当前热门的闪存技术（Flash），人类对于存储性能的追求是无止境的。在云计算、大数据时代，数据的迅猛增长对存储的处理性能提出了更高的甚至近乎苛刻的要求。近几年才逐渐步入商品化的新一代存储技术——相变存储（PCM），以高性能著称，具有替代传统存储甚至闪存的能力，由此势必将引发存储市场的新一轮变革。

其实，PCM的研发历史已经有30多年，但是直到最近几年才开始迈入商业化阶段。据悉，第一批商业化的PCM产品预计在今年内推出，而其主流产品，如替代传统硬盘的固态硬盘将于2014年推出。目前，全球只有三星、美光等少数几家国外厂商拥有商品化的相变存储器，而宁波时代全芯科技有限公司自主研发的55纳米相变存储技术让中国人第一次闯入了以前由外国厂商垄断的相变存储市场。

PCM融合了闪存和内存的优点，这使得它将在移动设备、大数据存储以及云计算平台上拥有更多可以施展的空间。基于相变存储技术的解决方案将极大地提高云计算数据中心里大数据交换与处理的速度，让人们更快速地得到想要的信息，从而使人们的日常生活变得更智能、更便捷。

现在，无论是在笔记本电脑等消费类产品中，还是在企业级数据中心里，闪存的应用正变得越来越广泛。PCM与闪存一样具有非挥发性，但又比闪存更耐用。闪存的寿命通常约为10万次读/写，这对于许多高端存储应用来说是远远不够的。相比之下，PCM的耐用性数千至数百万倍于闪存，这让PCM在企业级存储应用中拥有了更多武之地。PCM最值得称道的还是其卓越的存储性能，其编程速度与闪存相比具有数量级的优势。

相变存储将替代传统存储器

PCM可以现有半导体工厂或晶圆厂制造成本的十分之一来生产，这让我们有理由相信，它未来可以替代硬盘驱动器和多种现有的存储器芯片而成为具有独占性地位的存储器件。PCM可以取代手机里的存储卡、固态硬盘以及机顶盒里面的存储模块等。据悉，三星的手机中已经采用了PCM模块。

随着PCM设备和工艺以及PCM本身的性能更趋于稳定和成熟，PCM的价格会迅速下降。据预测，每位元的PCM的实际成本在2011年与NOR闪存或DRAM相当或更低，到2013年其价格将与NAND闪存的价格相当甚至更低。据权威市场分析公司预测，在未来30年内，基于PCM技术生产的半导体产品将成为电子存储器产业发展的主要支撑力量。

宁波时代全芯科技有限公司曾邦助博士表示，PCM现在已经可以取代部分闪存市场，随着产品不断升级，未来还会逐步取代部分内存、移动硬盘以及固态硬盘市场，并延伸至许多特殊应用领域，比如路由器中的CAM（内容寻址存储器），甚至可以作为一种新的计算单元使用。相变存储技术如同互联网技术一样，是一种新的“使能技术”，它将会带来更多全新的、甚至是我们目前还无法想像的应用模式，其创造的价值以及未来的市场发展空间都是十分巨大的。

对中国半导体存储厂商来说，PCM产品的市场机遇是前所未有的，目前其主要的使用方式是作为传统存储器的嵌入式系统，而未来它将成为取代所有传统存储器的独立存储器。

自主可控从“芯”做起

权威统计数据显示，2012年我国芯片产品进口额超过1900亿美元，与原油进口金额几乎相当，而几年前芯片产品的进口金额甚至一度超过原油。在IT底层核心技术特别是芯片技术上的缺失，将对我国IT产业的自主、可控以及可持续发展造成了不良的后果，而改变这种状况的惟一办法就是从政府、整个IT产业以及企业等各个层面加大对芯片技术的投入。

近几年，加速实现高新技术的国产化正日益受到政府部门的高度重视。据悉，国家近期将出台政策扶持芯片产业的发展，其支持力度远超以往。从IT产业链的角度讲，基于多年在服务器、存储、网络、操作系统、中间件等领域的积累，我们目前正处于实现从芯片到系统的全产业链自主创新与安全可控的最佳时机。从企业的角度讲，中国企业要有敢为天下先的勇气与坚定信念，在芯片等基础领域持续投入，并利用人才优势争取短时间内在一些新兴的技术领域实现突破。相变存储技术的快速发展给中国厂商提供了一个实现创新、突破和引领市场发展的契机。

宁波时代全芯科技是目前中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业，它已着手将PCM商品化，并把制造基地落户于宁波鄞州工业园区。宁波时代全芯科技的近期目标是，力争在5年内完成投资20亿美元以上，建立自己生产工厂和研发基地，生产具有完整知识产权的芯片产品，并依托鄞州政府的支持，将宁波鄞州打造成“中国芯片之城”。

宁波时代全芯科技的快速发展离不开一支拥有智慧与创新精神的技术团队，包括美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士马佐平院士、邓万新博士、曾邦助博士、王建群博士等在内的技术精英组成了宁波时代全芯科技的科研团队。宁波时代全芯科技有限公司的长远目标是，凭借新的相变存储技术和独家专利技术成为存储芯片和应用的主导，并引领新一代存储技术和产品的发展。

在21世纪，PCM存储器是一个对世界经济至关重要的战略商品，它可以为投资者创造优异的投资回报，同时对中国的高新技术产业也将产生深远影响。宁波时代全芯科技有限公司致力于成为拥有成熟的知识产权、产品、制造能力及广泛市场的相变存储领域的领导者。