朱朋博 发表于：14年08月05日 16:44 [原创] DOIT.com.cn
比NAND闪存更快的存储技术在很长时间以来都没有用在智能手机和数据中心上，但是已经有人在默默的做准备以期未来能更好的利用它。
在本周举行的闪存峰会上，西数旗下的HGST就展示了被称作全球最快的固态硬盘，这是一项先进技术成果展示。
它跟别的SSD一样可以插到服务器的PCIe插槽，它不是什么新的产品，它是一个展示低延迟接口的平台，是该公司开发的并且看做是大势所趋的固态存储媒介的未来形态。它在服务器的Linux驱动和固态硬盘内置软件上实验了通信协议。
相变存储是其闪存介质的核心，是一项可以让位字节数据被主机系统多次使用并且速度比NAND更快的新兴技术，日立公司固态硬盘产品营销副总裁乌尔里希·汉森介绍道。NAND闪存在70微秒内对数据请求作出响应，而PCM只需要大约1微秒，但是还需要两到三年的研发时间来增加密度并且变得更加便宜，从而获得更好的竞争力。
至少还有两项别的技术也在努力做到比闪存更快、更具有耐用性。那就是RRAM(电阻性随机存取存储器)和MRAM(磁RAM)。虽然有像PCM这样的低延迟技术，但是当前在系统和内存之间的接口并不会受益于此。即使是新兴的NVMe接口正在成为闪存的标准化高速连接，也将会取代新一代的媒介加速器成为瓶颈。
“之所以选择相变存储那是因为它对于我们可用并且有合适的架构” 汉森说“我们真的不只是押注哪项新兴的技术将会成为主流”。
相变存储把数据存储在类似玻璃化合物的名为硫属化物的容器中，当加入电压之后它可以从气态转化为晶体形态做出反应。当然他们还在尝试添加一个液体状态，这一中间状态用来表示0和1的二进制数据。更多的存储介质状态可以让单位空间携带更多的信息。
（图片来源于网络）
HGST的接口运行于标准PCIe的顶端，可以在很长时间内满足闪存到电脑处理器的数据传输速度需求。高级接口主要涉及到一个命令如何传输和初始化，服务器又是如何知道传输的完成。HGST并没有明确要打败NVMe的意思也不一定会公开他标准的低延迟技术。
同样是在在闪存峰会上，HGST介绍了FlashMAX III PCIe加速卡，第三代服务器闪存卡可加速服务器和一些应用程序，ServerCache，用软件把SSD做成缓存的缓存池。ServerCache是HGST收购Velobit之后获得的一项减少数据量、提高效率的技术。FlashMAX III将于本季度正式发售，ServerCache提供30天的试用下载，每台物理机器上使用都需要995美元。
