HGST：10TB充氦气硬盘蓄势待发

HGST今日向市场同时投入两颗重磅炸弹——尽管磁盘与闪存皆有提及，但最令人震惊的无疑还是这块单盘容量高达10TB的磁盘驱动器。

要理解这款新产品的重大意义，我们先要了解与之相关的时代背景。时至今日，全球数据总量每两年就会翻一番，而互联网连接能力也在快速推进至非IT设 备之上（也就是物联网概念）——这一切促使企业积极利用分析手段挖掘蕴藏在数据当中的有价值信息以从而改进自身运营效率。有鉴于此，当下用户对于数据访问 速度的需求也变得空前高涨。在这样的时代背景下，HGST希望能够将自身塑造成一家综合性数据存储组件供应商，其业务范围涵盖磁盘、SSD、PCIe闪存 产品外加服务器SAN硬件与软件。

在相继收购了sTec、Velobit以及Virident之后，西数已经获得了相当可观的闪存技术资产组合，并将这些成果纳入到其 Ultrastar SSD业务当中。目前该公司正在积极将这些技术进行融合、集成与调整，而且同时也进一步将氦气填充式驱动器作为这一轮市场冲击计划的主打方案。

HGST在公告中指出：

- HGST将推出8TB氦气填充式驱动器与磁盘技术路线图，其存储密度远超市面上其它任何一家磁盘供应商——此处明显是指希捷——并将在未来进一步发售10TB驱动器。

- 新的PCIe SSD产品及战略NAND联盟合作关系将确保存储芯片供应。

- HGST设备及软件将提供服务器SAN支持能力。

- 利用收购Virident(FlashMax)、sTec以及Velobit等厂商所获得的技术成果创建新的硬件及软件系统，并从零开始拓展其业务市场。

HGST总裁Mike Cordano在一篇博文中指出：“我们正引领着下一波浪潮，旨在构建起具备更高效率标准及可靠性水平的下一代数据中心，从而帮助企业用户以更为快捷的方 式获取大量数据、并通过从中提取信息实现更为卓越的业务价值。……我们推出的新型解决方案在设计层面将帮助用户管理日益扩大的数据总量、速度需求、数据类 型并在一切皆联网的背景下为数据带来前所未有的理想寿命。”

磁盘方案一览

HGST的原有氦气填充式磁盘驱动器He6最高容量为6TB，采用其HelioSeal技术。很明显这一水平已经被希捷方面的8TB磁盘所超越，不 过HGST有意借此次新产品发布一雪前耻——其第二代氦气填充磁盘驱动器He8的存储容量达8TB。而且根据HGST方面的说法，新方案能够降低整体存储 系统的物理占用空间与碳排放水平。换言之，其能够带来更低功耗、缓和冷却要求且所占空间比容量更低的空气填充式驱动器更小。相对于上一代He6，第二代方 案能够将单盘存储容量提升33%、所需功耗水平却同时下降23%。

由于新一代磁盘驱动器产品同时提供6TB与8TB两种方案选择，可以断言其将彻底取代原有的第一代He6。

HGST还发出全面通告，称“这套HelioSeal平台将被用于HGST未来的所有高容量企业级磁盘驱动器产品当中。”

那么作为HGST现有驱动器所采用的垂直式磁记录（简称PMR）技术的后续解决方案，HAMR（即热辅助磁记录）这种成本高昂的高密度存储机制又将 走向何处？目前还没有任何与之相关的消息，但叠瓦式磁性记录（简称SMR）——即利用重叠排列机制在单一磁盘碟片上部署更多磁轨，从而提高磁盘容量——已 经有所动作，HGST公司宣布将推出一款10TB SMR氦气填充式驱动器产品。

根据HGST的说法，这款驱动器拥有全业界最低的每TB使用成本与每TB功耗水平，且其技术将“作为未来各类扩展技术的基础机制，这使得HGST步 入发展快车道、从而为现有及未来的设计方案带来更出色的存储容量表现。”不过HGST并未在公告中提及该驱动器产品的具体名称。根据我们的推断，这款产品 有可能被最终定名为He10。

由于同非SMR驱动器相比，SMR驱动器在对轨道进行重新写入时、其速度表现相对较慢，因此这类产品可能会被用于配合高度关注读取速度、但不太在意写入速度的冷门存储应用程序。
HGST 还公布了一款6TB空气填充式驱动器，也就是Ultrastar 7K6000，该产品采用垂直磁性记录技术;可以肯定的是，该驱动器并未采用叠瓦式设计，而且我们估计其设计标准为7200转。HGST并没有公布He8 驱动器的具体转速。这是UltraStar 7K技术的第七代解决方案。

HGST宣称，该驱动器能够提供“业界最出色的7200转驱动器性能表现以及最理想的每GB使用成本”。

HGST还在着手开发一款以太网接入磁盘驱动器，但截至目前还没有更多新消息可供参考。

闪存方案一览

HGST宣布Ultrastar SN100 PCIe SSD将采用NVMe接口并搭载东芝NAND芯片。该产品的最大存储容量为3.2TB，外形尺寸则采用2.5英寸半高、半长设计方案。

NVMe扩展机制将允许外部软件接入到SN100的闪存管理体系当中，从而实现闪存使用与管理效果优化。根据HGST方面的说法，其将“拥有两倍于市面上其它低容量产品的性能表现与同等级别的使用寿命优势。”

HGST闪存平台部门销售负责人兼总经理Mike Gustafson在预先准备的发言中指出：“我们期待着全新Ultrastar SN100系列能够凭借着领先于业界的性能表现在竞争中脱颖而出，其中包括稳定的低访问延迟以及企业级耐用性优势。”

时至今日，稳定可靠的NAND芯片供应源对于闪存存储组件及设备供应商来说已经成为获得市场成功的必要前提，这一因素在美光、三星以及 SanDisk等闪存代工厂商相继亲自投身闪存组件与设备销售之后显得更为关键。考虑到这一点，HGST决定由东芝为其SN100产品提供闪存芯片。

Gustafson就此作出评述：“我们……对于自身与东芝之间的合作关系表示赞赏，并期待能够在即将到来的新的一年中将双方合作推向新的高度。”

HGST过去一直依赖于英特尔的技术方案来开发自身的原始Ultrastar SSD产品线，并不断扩展这一合作关系。在未来三年中，该公司还将继续利用英特尔NAND闪存技术打造自己的企业级SAS SSD产品。这些产品将由HGST公司专门负责销售。

所以，HGST并没有承诺单纯由一家供应商为其提供NAND芯片组件。

HGST已经在今年八月的闪存记忆体峰会上公开演示了其PCIe Phase-Change Memory SSD产品以及低延迟接口。根据我们的理解，这款产品将成为HGST潜在PCIe SSD路线图规划中的组成部分。