三星开始量产3D TLC V-NAND闪存芯片

三星电子已经连续推出了两代采用3D堆叠技术的V-NAND闪存，分别有24、32层，相关固态硬盘产品也在消费级、企业级市场上频频露面，但一直都是MLC规格的，很多人都在等待三星的3D TLC，毕竟韩国巨头是第一个把这种廉价闪存推向商业化的，始终都很卖力。

近期三星表示，已经对3D TLC闪存芯片进行了量产，相信不久之后也会有响应的SSD出现。不过TLC闪存的SSD一般价格都是很便宜的，相信之后还会有价格更低的大容量SSD出现。

不过，三星似乎不太喜欢TLC这个名称，官方一直说是“3-bit multi-level-cell (MLC)”。

新闪存基于第二代3D堆叠工艺、CTF电荷捕型获闪存技术，同样垂直堆了多达32层，每颗芯片容量为128Gb(16GB)。TLC V-NAND的量产有利于通用PC上SSD的普及和企业更为严苛的存储需求，这给三星在闪存的市场占位提供了极大的竞争力。

具体制造工艺没说，但看起来应该是1xnm级别的。三星称，相比于平面型的TLC，它可将晶圆的产能输出翻一番还多，成本自然大大降低。