三星量产20纳米8Gb DDR4服务器用DRAM,耗电量降低了

全球存储技术领军企业三星电子今日宣布已开始量产全球首款20纳米8Gb DDR4企业级服务器用DRAM。今年下半年适用于DDR4的服务器中央处理器已经上市，此时量产该款DRAM产品将推动高端服务器市场从DDR3向DDR4的转换。

基于20纳米8Gb DDR4的服务器用DDR4内存模块，与基于DDR3的模块相比，数据传送速度提升了约30%，实现了2400Mbps的超高性能。同时，相对于DDR3模块的1.5伏工作电压，新产品只需1.2伏电压，因而耗电量也更低。

此外，如果只基于现有的4Gb DRAM，最多只能生产出容量为64GB的内存模块。然而如果结合此次推出的8Gb DRAM和今年8月三星电子全球首先投入量产的硅通孔(Through Silicon Via, TSV)封装技术，那么则可以生产出最大容量为128GB的内存模块，从而进一步推动高密度DRAM市场的发展。

三星电子存储芯片市场营销部负责人白智淏副总裁表示：“此次推出的20纳米8Gb DDR4 DRAM大大满足了推动下一代企业级服务器市场发展所需的三大要素,即高性能，高密度和高节能。今后，三星将继续提升20纳米DRAM产品的比重，以高性能和高密度的产品满足全球高端服务器用户日益增长的需求。”

三星电子在今年3月成功量产全球首款20纳米PC用DRAM之后，至今仍是业内唯一一个有能力量产20纳米DRAM的企业。此后，三星电子继而在今年9月推出20纳米移动DRAM，加之今天推出的20纳米服务器用DRAM，可以说三星已经构建了足以引领“20纳米DRAM新纪元”的完整的产品线。

今后，通过把生产效率高的4Gb产品用于PC，封装小且芯片堆叠层数少的6Gb产品用于移动设备，大容量的8Gb产品用于服务器，三星电子将会根据用途对各种容量的DRAM产品进行优化组合，以差别化的产品战略引领DRAM市场的发展。