MRAM (磁阻随机存取存储器)采用显微结构下的精细存储单元技术，是一种耗能极少且具有非易失性功能的存储器，即当电源关掉之后，仍然能够保存数据。MRAM存取速度远远超过Flash存储器。目前，1M字节的MRAM的存取速度比同样容量DRAM约快六倍。MRAM尚处于开发阶段，因此被认为是一种替代性的技术。业内预测在2003－2004年，将会采用0.25微米工艺，生产少量的MRAM。
另一项数据存储技术是由IBM开发的称为Millipede的新纳米技术，可以在每平方英寸面积上存储1万亿字节的数据，约为目前的磁盘的存储密度的20倍。数据是通过在薄的塑料薄膜介质上打出孔来表示的。纳米针通过热机数据写入装置生成一个10纳米（一毫米的百万分之一）的孔。Millipede技术也很节能，预计可以在移动计算市场发挥作用。如果能够提高数据传输率，Millipede可能会成为一项数据中心技术。Millipede几年之内尚不能批量生产。
关于IBM Millipede存储技术的更多信息，请见《走向芯片硬盘??IBM Millipede超高密度存储芯片技术》
碳纳米管(CNT)是由碳原子组成的仅有3个原子厚的管状结构。这些碳纳米管质地轻，又结实，比铜具有更好的电导和热导特性。当硅片尺寸到达物理极限时，碳纳米管被看作是最有可能的硅的长期替代物。这可能需要10年或者更长时间，但也会采取许多方法，来延长硅芯片的生命期。因为摩尔定律将继续有效。
