据日经BP社报道，在2003年4月10日举行的“电子信息通信学会集成电路研究会”上，NEC和东芝公开了1Mbit和1Kbit两种芯片的试制产品。这是继2002年6月摩托罗拉之后，第二家公布1Mbit MRAM的试制品。“我们一直在争取尽早发布双方联合开发的成果。目前至少在关键技术方面已经赶上了摩托罗拉”（NEC）。
此次试制的1Mbit芯片的规格如下：制造中使用的工艺方面，TMR单元部分为0.6μm、其它部分为0.25μm。芯片面积为6.4mm×5mm。内存单元面积为6.55μm2。电源电压为+2.5V。TMR单元的电阻为30kΩ。印加电压+0.4V时，MR比为22%。
综合所有关键技术、提高芯片完成度方面，摩托罗拉仍然领先一步。NEC/东芝只是在1Kbit MRAM芯片中使用了磁束集中结构，而摩托罗拉已经在1Mbit芯片中使用了这一结构。
