彪悍！英特尔PCIe SSD 910拆解

各位关注SSD的话，相比还记得此前我们介绍过IDF2012大会上，英特尔推出的PCI-E固态盘910系列产品。此次，我们将为大家重点介绍容量为800GB的SSD 910产品。

SSD 910架构图

“性能模式”是英特尔Data Center Tool软件中的一个内置功能，不过该功能只能在800GB容量的SSD上实现。400GB的SSD 910模式为“always”性能模式，因为在标准的PCIe 25瓦规格下就可以实现全速运行。800GB版本的拥有额外组件可以实现在25瓦功耗下运行从而支持其默认模式。将800GB的默认模式转换到性能模式，其功耗也会相应增加到38瓦。

英特尔PCI-E SSD(800GB)

局部特写

图片中展示的4个铝电解电容器，属于“V”类“FK”系列。每个都为330uF，而且看起来好像每个都有功率变频电路设计。这四个电容器，也就是相当于每个电容器负责驱动一个200GB SAS SSD单元。

在对该SSD进行拆解之前，让我们先来看看其侧面。该效果与我们此前在IDF2012展会上看到的一样。

侧面俯视

被拆解后的SSD 910(800GB)

最上面两个PCB(Printed Circuit Board，印制电路板)主要包含闪存芯片，底下的PCB则拥有4个SAS SSD控制器和LSI SAS HBA(主机总线适配器，隐藏在散热器下面)。

SAS 控制器

从上图中我们可以看到，每个SAS控制器都有同等的DDR RAM(图片右下角)，而LSI HBA占据面积比SAS控制器略小(图片左侧)。

连接器

负责将每个闪存PCB传输到主板的这些连接器也十分牢固，做工精良，用料足。

PCB背面

最后，我们再来看下这三块PCB背面。从图片中我们可以发现，控制器的功率切换器和RAM并排在板子的底下，而那些更大些的LSI SAS HBA估计则被设计在板子的中间位置。

读写性能测试

在对英特尔PCI-E接口的SSD 910的外观有了初步认识之后，接下来我们就来看看这个产品的性能测试。

测试实验环境

当测试诸如SSD 910系列产品的高IOPS设备的时候，特别需要注意试验台不能杂乱不堪，避免有其他设备的干扰。此次测试采用了Sandy Bridge集成图形处理能力的平台架构，从而为SSD 910尽量节省所有可能的带宽资源。

测试环境

首先我们进行ATTO测试。Windows下的4个SCSI逻辑单元编号也就意味着Dynamic Disk(软件)RAID。由于没办法对条带进行设定，因此 我们只能使用事先定义的64k进行测试。

ATTO测试结果

在连续模式下也仅仅是高于1.5GB/S的写入、低于2GB/s的读取速度。而在4K-64K区域性能表现貌似稍逊于主流PCIe SSD。这可能是因为尝试将4个LUN逻辑单元号与Windows RAID相连。

随机写入速度惊人

下面，我们给出只针对一个200GB逻辑单元号进行ATTO测试的参考数据：

单个200GB下的测试结果

我们需要注意的是，当Windows RAID还算空闲的时候，较低的transfer sizes下性能表现缓慢爬升。而且，从以上这两次ATTO运行数据来看，在小于4K的时候基于日立控制器的写入性能较差。下面，我们来看看IOMeter测试结果。

不同配置下IOPS值(性能模式)

首先，上图展示的是LSI HBA分别处理SSD IOPS的数值，我们可以看到随着更多LUN的增加，读写性能呈现出一种线性的增长趋势，IOMeter同时直接访问这四个设备，绕过了Windows RAID。

紧接着，混合工作负载(同时读取和写入)性能要逊于单独读或写的性能，尽管这是预期之中的局面，但反差之大有点令人始料不及。

最后，你会发现上面的写入测试数据是斜体显示的，这是刚开始大量使用SSD的时候的数据。为了更好的说明这款SSD的性能，下面再对其进行4K随机写入测试：

随机写入测试

从测试结果可以看出，4K随机写入测出来的IOPS值远超英特尔所标称的75K，而且这是在连续写入的情况下得到的数据。结合英特尔的HET-MLC闪存技术，在扩充10倍容量的基础上还能满足日常使用长达5年时间之久，可以说这款产品非常彪悍。