韩国三星电子在“ISSCC 2004”国际半导体会议上，将发布通过采用2bit/单元的多值技术和最小加工工艺90nm制造技术实现的4Gbit NAND型闪存EEPROM（演讲序号：2.7）。作为单一存储LSI，这一容量为目前全球最大。
写入时的数据传输速度为1.6MB/秒。工作电压为+3.3V。通过将行解码电路配置于存储单元阵列的中间部位，缩短了字线上升时间，降低了耦合噪音（Couple Noise）。
随着容量的提高，需要将多个存储单元之间的阀值电压的不稳定性控制到最小程度。因此三星此次不仅缩小了浮游栅多晶硅的厚度，而且还在删除数据后的写入方法上进行了改进。
三星此次发表的NAND型闪存EEPROM的特点是能够用同一芯片（掩膜）实现大容量版（2bit/单元）和高速写入版（1bit/单元）两种规格的产品。可以用引信或垫板耦合开关（Pad Bonding Switch）切换成容量2Gbit（1bit/单元）的高速写入式NAND型闪存EEPROM。此时写入速度为7MB/秒。
