三星公司正紧紧追踪其它PCIe闪存企业的动向，并伺机与其展开新一轮市场竞逐。是的，来自韩国的电子业巨头即将迈入PCIe闪存卡市场。
根据三星电子战略性商务开发部门的Peyman Blumstengel所说，该公司已经把PCIe闪存卡纳入发展路线图，而产品也应该会在今年下半年与我们见面。
他还顺带提到，目前NAND内存已经成为芯片制造商三星的优先发展项目，旨在为移动手机市场增添助力。
另外，他也表示三星公司在低功耗领域的高密度(32GB到64GB范围)DRAM身上倾注心力——其实际节能比例将超过50%。
他认为这种PCIe卡与英特尔的Ivy Bridge处理器及大数据的强强组合将极具吸引力。而DDR4内存可能也会在2014年年末大范围普及。
Blumstengel同时指出，三星公司正在制作采用28纳米工艺的DRAM产品，并努力探索25纳米工艺。
在NAND的后续技术方面，他认为三星基本会通过上马新的晶圆生产线来推出ReRAM、PCM或者其它一些新型技术产品，公司需要为此投入约100亿美元的巨额研发资金。除非对于新技术的市场预期抱有充分信心，否则没有任何一家晶圆厂商会以如此高昂的投资进行设施更新。
