三星正在全力追击PCIe闪存产品公司，意欲和它们一较高下。是的，韩国的这家巨头公司将要加入到PCIe闪存卡的“游戏”中了。
三星电子战略业务发展部门的Peyman Blumstengel透露，三星公司已经有了研发PCIe闪存卡的计划，今年下半年应该就会有产品推出。
他还顺便提到，目前三星的NAND产品还是优先服务于手机市场。
他说，三星投入巨大精力在32GB到64GB容量之间的低功耗高密度DRAM上——实际上它们的功耗能降低50%。
他认为这种闪存卡与英特尔的Ivy Bridge处理器或者和大数据强强联合将对用户产生巨大的吸引力。而DDR4内存也很有可能在2014年年末大范围普及。
他还透露说，三星正在改进28nm制程的DRAM，朝着25nm制程努力。
至于post-NAND技术，三星正在考虑。他认为，在一般情况下，建立专门的部门来研发制造ReRAM，PCM或其它类似的新技术意味着投入大量资金，总成本可能会达到100亿美元。没有厂商愿意花那么多钱，除非它们能肯定投资的新技术会一炮而红，在市场上万无一失。
