三星今天宣布收购位于美国加州米尔皮塔斯的Grandis公司，该公司主要用于制造MRAM（磁阻随机存取存储器）也就是为人们熟知的STT-RAM（自旋转移力矩随机存取内存）。
Grandis的非易失性内容技术未来将是DRAM和NAND闪存的一个有力竞争者。该技术能耗较高低，性能则高于DRAM和NAND。
不过迄今为止，由于成本过高该技术还没有投入大规模生产。
三星表示，Grandis将被融入三星“专注于开发下一代内容革新技术——将针对长期商业价值考虑新的半导体材料和结构将”的研发工作中。
交易的进一步细节没有透露。
Grandis公司创建于2002年，有大约25名员工，至今尚未出货过一款产品。
Grandis业务开发副总裁Alex Driskill-Smith表示，去年通过与Hynix公司签订开发协议，Grandis生产出了他们首个54纳米芯片。Grandis预测，未来5年他们的技术工艺将缩小至20纳米甚至更小。
Grandis的MRAM技术优于传统的芯片，因为它可以缩至更小的电路尺寸。密度最高的传统MRAM一直是99纳米。
据Driskill-Smith称，SST-RAM写入数据的能耗要远远低于NAND闪存，而且后者成本更高。“它具有比NAND更高的性能。NAND转换字位大约需要15~20伏电压，时间则达到1微妙甚至1毫秒。”
