存储在线 4月8日北京消息：英特尔在PC处理器市场保持着对AMD的绝对领先优势，但在NOR闪存领域英特尔却被AMD压过一头。为了改变这一现状，同时也延续自身在NOR闪存市场的增长势头，英特尔将于近日推出新型strataflash嵌入式闪存。
英特尔发言人玛莉-雷格兰德(mary ragland)表示，strataflash嵌入式闪存将有多种不同的型号，容量由64MB直到1GB，足以满足数码相机、手机和网络路由器等多种消费电子产品的需求。她说：“这是近年来strataflash产品系列的第一款新品，它的出现可以从很大程度上缓解厂商对于高性能大容量闪存的需求。”英特尔将于本季度推出容量为64MB到512MB的strataflash嵌入式闪存，1GB容量的产品要到下半年才能上市。
在关闭电源后闪存中存储的数据并不会消失，因此它也就成为了消费电子产品中存储数据的最佳介质。目前的闪存产品主要有两种类型 — NAND和NOR，在NAND闪存市场，三星电子一直独秀，而NOR闪存市场则呈现出英特尔和AMD两强争霸的局面。市场研究公司isuppli公布的最新数据显示，AMD通过和富士通成立的合资企业，2004年在nor闪存市场占据了25.9％的市场份额，而英特尔以微小的差距排在第二位，其市场份额为24.5％。
尽管2004年整体略逊，但第三季度和第四季度英特尔在市场份额上都超过了AMD。有分析人士将英特尔的成功归结于产品价格便宜，英特尔副总裁达林-比勒贝克(darin billerbeck)并不完全赞同这种说法。他说：“我并不认为我们依靠低价格取胜，我们也从来发动过价格攻势。”他同时透露，由于去年第四季度高容量产品的销量大幅度增长，英特尔闪存的平均售价还略有提升。
2004年全球闪存市场的总产值达到了166亿美元，比2003年的116.4亿美元有大幅度的增长。isuppli预计，2005年全球闪存市场的总产值将增长5％，达到175亿美元。到2008年，全球将有80％的手机中采用NOR闪存。
