近日，刚刚宣布完成新一轮融资的闪存存储厂商Memblaze，在美国硅谷的Santa Clara参加了全球最为知名的闪存峰会Flash Memory Summit，展出了其创新性的闪存技术及产品解决方案。
本次闪存存储峰会上，Memblaze的CTO，同时也是创始人之一的路向峰，在论坛上做了演讲，着重向业内展示了ECC纠错、全区均衡磨损、MemRAID、随机化、数据重读、垃圾回收等六大创新性闪存技术，并与参会嘉宾共同探讨了如何在产品的不同层级，应用多样化技术保证产品稳定性并优化性能。
此次峰会上，备受瞩目的莫过于Memblaze的全区均衡磨损技术(Global Wear-leveling)。据悉，该技术运用在闪存产品之后，对于一定时间内没有发生任何数据改变的静态模块，系统会将其上的冷数据搬迁到使用率较高的模块上，而让热点数据优先使用这些使用率低的单元，由此平衡热点数据写入，避免某一闪存物理块过度使用造成损坏，从而可以将FlashFlash产品的使用寿命的技术延长4倍以上，显著降低客户的采购成本及总体拥有成本(TCO)。
在展览展示区，Memblaze首次曝光了其最新的闪存产品FlashRAID和PBlazeIV，并期待与国际伙伴达成深度合作。据悉，FlashRAID是一款面向企业级客户的高可靠性产品及解决方案，采用PCIe3.0接口，支持最多12个NVMe SSD闪存盘，单盘容量可高达2TB。PBlazeIV是Memblaze应对全球标准化而推出的首款NVMe接口闪存产品，支持热插拔，采用NVMe1.0协议，PCIe3.0*8接口，最大容量可达6.4TB，顺序读速度最大可达4.5GB/s。
“客户关注的不仅仅是性能和价格，可靠性对于企业来说是至关重要的。每年，闪存产品由于坏块引起的报废，给客户带来了巨大损失。”北美区商务副总John Baskett介绍“在闪存技术越来越发达的今天，可靠性依然是企业客户最为关注的特性，尤其对于全闪存数据中心来说，可靠性更为主要。Memblaze为客户提供高性能、高性价比产品的同时，更为关注产品可靠性，持续降低客户数据中心的建设成本。
