三星开始量产3D TLC V-NAND闪存芯片

三星电子已经连续推出了两代采用3D堆叠技术的V-NAND闪存,分别有24、32层,相关固态硬盘产品也在消费级、企业级市场上频频露面,但一直都是MLC规格的,很多人都在等待三星的3D TLC,毕竟韩国巨头是第一个把这种廉价闪存推向商业化的,始终都很卖力。

近期三星表示,已经对3D TLC闪存芯片进行了量产,相信不久之后也会有响应的SSD出现。不过TLC闪存的SSD一般价格都是很便宜的,相信之后还会有价格更低的大容量SSD出现。

SSD即将迎来新变革 三星量产3D TLC闪存芯片

不过,三星似乎不太喜欢TLC这个名称,官方一直说是“3-bit multi-level-cell (MLC)”。

新闪存基于第二代3D堆叠工艺、CTF电荷捕型获闪存技术,同样垂直堆了多达32层,每颗芯片容量为128Gb(16GB)。TLC V-NAND的量产有利于通用PC上SSD的普及和企业更为严苛的存储需求,这给三星在闪存的市场占位提供了极大的竞争力。

具体制造工艺没说,但看起来应该是1xnm级别的。三星称,相比于平面型的TLC,它可将晶圆的产能输出翻一番还多,成本自然大大降低。