三星电子量产业内首款20纳米8Gb GDDR5

全球存储行业领导者三星电子今日宣布,已开始量产业内首款20纳米8Gb GDDR5显卡内存。

此次推出的8Gb GDDR5显卡内存,与4Gb GDDR5(数据传输速率为7Gbps)相比,在容量和速度上都有飞跃性的提高。单颗容量8Gb,数据传输速率8Gbps,均最先达到业内最高水平。

显卡内存主要用于处理视频和图像数据,速度比一般DRAM芯片快数倍以上。随着近来3D游戏和超高画质视频的普及,市场对大容量高性能显卡内存的需求也日益上升。

此次推出的8Gb GDDR5显存,仅仅8颗芯片即可满足游戏机显卡8GB的最大需求,是一款名副其实的大容量DRAM产品。不仅如此,笔记本电脑2GB的显存配置仅需两颗芯片即可,与单颗容量为4Gb的显存相比,所占的芯片面积缩小一半,便于设计更为轻巧的超薄笔记本。此外,8Gb GDDR5显存高效的数据处理性能,不仅能提升显示器的分辨率,并且通过缩短运算时间缩减系统能耗。

新显存单颗颗粒每个引脚的输入/输出数据传输率高达8Gbps,是笔记本电脑中广泛使用的DDR3显存的4倍以上。每颗颗粒位宽为32bit,两颗颗粒每秒可以处理64GB(相当于12张全高清DVD的容量)的图像数据,能够更加顺畅清晰的呈现超高清视频图像。

8Gb GDDR5显存的推出,使三星电子成为业内唯一一个在DRAM全线产品中,均采用20纳米工艺量产单颗容量高达8Gb内存芯片的企业。继去年通过推出服务器用和移动DRAM产品抢滩高端市场之后,此次则瞄准显卡和笔记本等入门级IT市场,积极拓展业务范围。

三星电子存储芯片销售及市场营销负责人崔周善执行副总裁表示:“我们期望新推出的8Gb GDDR5显存,可以为游戏机和笔记本电脑厂家提供最佳的显存解决方案。今后,我们将继续扩大20纳米DRAM产品的生产规模,满足全球客户不断增长的需求,并进一步推进高端内存市场的发展。”

今后,三星电子不仅将面向高端市场推出单颗容量8Gb以上的超大容量DRAM产品,还将推出采用20纳米工艺的6Gb和4Gb DRAM系列产品,不断提高全球DRAM市场中20纳米DRAM的市场占有率。