2015年3月26日，美光科技和英特尔发布双方联合研发的新3D NAND技术。同时宣称该项闪存技术的存储密度将是世界之最，而且比其他具有竞争性NAND的技术性能要高三倍。
人们正在逐渐适应闪存并将其用于客户移动设备到企业部署的大多数领域。而目前业内面临的最大难题就是平面NAND达到了它的实用极限。美光和英特尔旨在用他们的垂直堆叠3D NAND改变现状。
英特尔和美光选用了一个业内使用过一段时间的浮栅单元用于他们的3D NAND，这也是浮栅单元第一次用于3D NAND。浮栅单元的性能跟踪记录使得英特尔和美光笃定这项技术会实现更高品质，更高性能和可靠性。新型3D NAND技术允许闪存单元垂直堆叠32层。单个MLC容量达到256Gb，单个TLC达到384Gb并且仍能安装在一个标准程序包里。由于容量增大，M.2 SSDs总存储容量达到3.5TB甚至更大。标准2.5寸的SSDs总容量达到10TB以上，同时也会令闪存吸引更多在特定密度下安装存储的数据中心。另外，该产品有望于2015年下半年投入生产。
主要特点：
· 大容量——是现有3D技术容量的三倍，相当于48GB NAND每晶，能把一个terabyte的四分之三安装在单个指尖大小的程序包里。
· 降低每GB成本——研发第一代3D NAND也是为了比平面NAND达到更好的成本效率。
· 速度快——高读写带宽，I/O速度和随机读取性能。
· 节能——新的休眠模式通过切断不活跃NAND晶粒的电源(甚至是在同一个数据包里其他晶粒都活跃的时候)，大大降低了待机状态下的耗电量。
· 智能——相对于上一代产品，创新性功能改进了延迟读取并且提高了耐用性，同时简化了系统集成。
