总投资达240亿美元（约1600亿元人民币）、占地约2500亩的存储器基地将于年内全面开工。
这是湖北省迄今最大的单体投资项目。
由湖北省人民政府在武汉市东湖高新区举办的存储器基地项目启动仪式3月28日上午举行，省委书记、省人大常委会主任李鸿忠，工信部部副部长怀进鹏等单位的领导和嘉宾出席，相关领域专家和合作伙伴等约400人出席仪式。
作为国家发展集成电路产业的重大部署，该项目由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、国家发展基金有限公司、湖北集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北省科技投资集团有限公司共同出资筹建，以武汉新芯集成电路制造有限公司为基础的高端存储器研发与制造基地。
产能30万片每月，填补我国主流存储器领域空白
存储器是最大宗的集成电路产品，也是我国进口金额最大的集成电路产品。2014年，我国集成电路进口额2176.2亿美元，其中存储器占24.9%。
打造半导体供应链，突破内存技术的发展瓶颈，不仅是社会发展的需要，更与国家安全与军事领域等因素密切相关。
2014年，国家颁布实施《国家集成电路产业发展推进纲要（2015-2025）》,制订了今后10年发展集成电路产业战略，同期成立国家集成电路领导小泪和国家集成电路产业投资基金。
2015年，发展存储器上升为国家战略。
存储器基地坐落于湖北武汉东湖高新技术产业开发区，距高铁武汉站24千米，占地面积2500亩（其中核心厂区面积约1400亩），共分三期建设，除了今年全面开工的一期厂房外，二、三期厂房预计分别于2018年和2020年前建成。
据了解，该基地主要生产3D NANA Flash芯片和DRAM芯片；建成后产能预计将达到30万片每月，以填补我国主流存储器领域的空白，满足国内我大数据应用和物联网市场对存储器产品的巨大需求。
新厂房建成投产后，还将吸纳就业人口1.7万，配套及产业链将带来更多的就业机会。基地还将规划一个总建筑面积达200万平方米的国际社区作为配套，满足此项目人才居住的生活需求，社区总人数将超过30000人。另有1000亩地将被用于供应商及产品配套用地。
以3D NAND Flash实现弯道超车
之所以选择3D NAND Flash和DRAM，是因为其前景应用十分广泛、市场潜力巨大，加上我国“十三五”规划又将半导体作为发展重点，有理由相信，3D NAND Flash将成为中国内存芯片产业弯道超车的切入点；中国的内存布局将可能从Flash打开突破口。
此前日本因抓住DRAM发展机遇、韩国抓住DRAM和NAND发展机遇都成为了内存行业的领头羊。
“再也不能错过3D NAND技术的发展机遇了。”武汉新芯执行副总裁、商务长陈少民在接受DOIT记者采访时说。
不过，国际主流内存厂商都在加大对3D NAND Flash的投资。有报道称，英特尔大连工厂下半年将量产，而SK海力士声称将投入15.5兆韩元扩充NAND Flash产能，并于2019投产，东芝也宣布三年内要投资3600亿日元生产3D NAND Flash。另外，有消息称台积电今天在南京投资30亿美元的12寸晶圆厂签约，董事长张忠谋将出席签约仪式；而力成西安封装厂已经实现量产，预计今年第二季度贡献营收。有人担心，3D NAND Flash领域，也许会迎来类似彩电、液晶面板那样残酷的淘汰大战。这种担忧是多余的。
存储器基地是武汉市政府与其余富有竞争力的五大地方政府角逐后胜出；由武汉新芯全面统筹发展规划。这种从国家层面做出的产业布局，将大大增强新芯的市场竞争力。
而谈到武汉和新芯胜出的原因，陈少民一再强调，主要是技术。新芯的技术能力与国际一流厂商仅落后一代半。而目前已经成熟且商用的英特尔公司E7 V3处理器达到了14纳米制程，基于此可以判断出新芯的技术水平。
此次与新芯宣布开展3D NAND技术方面的合作方是Spansion公司，但对DRAM技术的合作方，陈少民没有回应。
武汉新芯成立于2006年，当时由湖北省、武汉市和东湖高新区投资100亿元人民币，建设一个12寸晶圆制造项目。10年来，武汉新芯已经成为国内唯一亿存储器为主的集成电路制造企业。
“存储器基地项目建成后，将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展，集合在光谷已形成的显示产业、智能终端产业，打造一个万亿级的芯片-显示-智能终端全产业链生态体系，成为国内乃至全球最密集的电子信息产业基地。”陈少民说。
