问：几位教授讲的都是硬件的器件，可靠性和效率等等。有没有考虑软件方面的研究，我们现在有点像PCM，软件上怎么改进？软件怎么更加有效地使用PCM。工业界可能有一些研究，但是相对更加前沿的东西能不能分享一下。
舒继武：这方面比较多，特别是PCM也是很火的。因为在这样的场合下展开讲没有办法讲，但是我可以这么讲你可以看相关的文献。它会涉及到很多的方面，我把PCM可以用起来，让DRAM参与进来。大部分的都是混合，你的操作系统和文件系统怎么修改，也有这方面的研究。怎么管理，在这方面也是有的。从结构和管理，包括怎么把它两者之间调动，对应的操作系统修改，我们有一系列的研究应该还是比较多的。我个人认为PCM可以用起来，从技术上和理论上已经没有太大的障碍，现在为什么还没有真正的用起来，有可能是成本的因素。
冯丹：软件层面说，现在目前学界包括企业，大家都是从两个层面在研究。控制器内部怎么PCM特点，怎么弥补读写不对称，让主机来更好地用它。包括并行和可靠性等等，这些其实都是通过软件结合来做一些研究，可以让它可用，包括垃圾回收，这是在控制器内部的。在主机的层面，真正用好的话PCM采用什么样的方式，flash这样的更快的SSD应用，还有就是直接代替内存。代替内存目前还说可能经过一段时间，因为容量和速度相比DRAM和SRAM相比差很多，DRAM加上PCRAM怎么代替内存，主机也是需要重构的。比如说内存管理，这是相对DRAM的，还有文件系统也是相对SSD的也要重构。这方面的研究大学和研究所，最近几年好的会议上都有好的文章。
李卫忠：今天上午产业界的人提到了中国有弯道超车的机会，产学研的角度听听你们的看法。
方粮：磁盘技术历史悠久，也非常成熟，专利和知识产权被IBM控制，一些新型的技术，相变存储，还有关键专利绕不开的专利，可能还没有被每家完全控制，这些新出现的问题是我们赶超的很好机会。非常高兴地看到国家注意到了这点，很多的项目立项投资做研究新技术，这是可喜的。
缪向水：武汉新芯做3D Nand的项目我参与，为什么写3D Nand，怎么考虑的？现在国家做一个大的存储基地，主攻方向在哪儿讨论了很久。我们如果做Nand flash，现在的专利也好技术和价格都是没有机会的，是不是可以直接到PCRAM呢，现在也没有方向。但是对PCRAM来讲，现在的三星、因特尔和美光说是有样品的，但是在国内来讲还是中科院和华中科学有研究。尽快上这个项目又不能等，上了这个项目然后又能够在不至于落后太远，又可以尽快上线，最后考虑3D Nand的技术，这是基于现在的Nand技术，但是有很多的突破。从我们考虑调研的结果来说，三星是有产品在卖的，其它的公司也还是在铺样片的时候，落后不是太远。落后一年半两年的时间，这个时间对中国来讲是很好的窗口。武汉新芯说做一个不至于落后，但是又麻烦可以产业化的东西，可以选择的余地不是太大。现在2DNand到3D Nand的展望期可以插进去，这是很好的机遇，我们一直在做这样的事情。包括中科院微电所，包括华中科技大学在做，现在3D Nand做的16层。国家存储基地现在已经奠基启动，2018年有国产3D Nand芯片可以供大家使用，规模很大。目标是想国际上可以到老二和老三，可以满足国内市场需求，我们期待这一天的到来。
冯丹：大家从器件层面讲了机会，处在变革器，3D flash的出现，还有新的器件出现，RAM和DRAM等等。我们国家部署相应的项目，这部分的关键技术不落后于国际上，这是器件层面的。在卡和软件的层面，既然是在转型期的话，机会是给大家均等的，在做控制器方面的话，我觉得我们因为前面有CPU和芯片的技术投入，让我们对控制器芯片的掌握，还有软件也是我们的优势。在这个地方都是一个机会。
问：四位专家讲的东西在半导体材料领域多了一些，其实我们的闪存技术里面有两块很重要的东西，一块是材料Nand的发展，还有就是控制器芯片技术。因为芯片技术有很多种，可能可以放在这个盘上，也有可能放在主机上。关于芯片技术的发展，我想问一下四位专家有没有以后的展望，你们看到未来的发展方向是什么。
冯丹：华为做资料已经有芯片，对于新的器件和新办法，FTL可以都放在底层，还有一部分放在主机。在这样的情况下，对芯片的难度来说，应该说是稍微降低了一点，这样可以出来更多的各具特色不同的控制器芯片。
方粮：目前用的闪存控制器基本上商品化是国外的产品，但是我知道国内有一些公司和研究机构也在做。随着CPU技术的成熟，国防科大和华为用的RAM的授权，基于RAM系统开发了多核的CPU，在此基础上下一步可以完全地开发出功能更强，或者说适合我们应用的控制芯片，RAM内核作为基础，再加上外围的接口和固化的算法，有可能若干年以后做出性能更好，有更多特性的控制芯片。
冯丹：今天的讨论到此结束。
