来自国外网站vr-zone论坛的一篇帖子显示，有研究称，在45nm以下的工艺制程中，铜互连工艺不如碳纳米管材料的性能。
近日，美国纽约州Rensselaer工学院科学家的最新试验显示，碳纳米管材料的性能已经超越目前应用最为广泛的铜互连工艺，尤其是在45nm以下的工艺中更能得到体现。
他们采用计算机模拟方式进行试验，100TFlops的IBM超级计算机被选中来承担本次试验，这次试验也是业内首个针对量子效应的芯片模拟实验。通过试验结果可以看到，由于漏电问题造成的功耗过大问题，使铜互连工艺在45nm以及更小的尺寸下，无法达到理想的效果，但如果采用碳纳米管进行互联，则可以有效解决功耗过高的问题，从而达到一个理想的效果。
Saroj Nayak教授也表示他们坚信在45nm以及更小的制程中，碳纳米管是最好的选择，未来也将两种构造的性能进行测试，得出更加精确的比较。同时也有专家指出，之所以碳纳米管在45nm及更小工艺中表现出色，是由于阻抗较低，从而导致其功耗也较低。
但随后又有专家指出，由于没有得到精确的测试数据，因此业内还无法真正应用该技术。因此希望本次试验也可以有效的带动这项技术的发展。但由于没有很好的办法解决该技术的量产问题，因此仅可应用在试验室中，这也是令人比较遗憾的一点。
