半夜睡不着，爬起床来走到阳台去抽支烟，发现一只蟑螂，于是跟它聊了很长时间。把我对老婆的不满，对上司的不爽，对老板的压榨通通发泄给它听。烟抽完了，于是我狠狠一脚踩死了它，睡觉了……没办法，它知道的太多了……
以上不过是笔者从网上转载的一个笑话，之所以想拿这个笑话开头，就在于本文也许会遭遇那只蟑螂的境遇。
本想踏实准备春节放假的笔者，再一次紫光的消息所影响。总投资2600亿元的紫光南京半导体产业基地项目，昨日宣布正式落地。而一个月前，紫光集团在成都砸下2000亿元的紫光IC国际城项目。
到此，紫光集团董事长赵伟国在此前宣布，将会投资投中国存储产业总规模超过700亿美元的投资已经在武汉、成都、南京纷纷兑现。为此，他在昨天南京的签约会上对外界表示：“紫光集团在半导体领域的战略布局已基本成型”。
不到两年间，致力于中国存储产业自主崛起的如此大规模投资应当是前无来者，自然可喜可贺。此后，各界颂扬之声一片，有的媒体甚至将紫光称作中国存储产业的“脊梁”。在某种程度上这种评价并不为过，毕竟紫光集团下辖的成都、武汉、南京存储基地已经是中国最大的存储器制造项目了。
在一片叫好声中，我们也偶然会发现几滴“冷水”，例如“存储产业有风险投资需谨慎”之类的警示。不过这种话某种程度上和早上出门家人叮嘱的“注意安全”一样，相信的是百分之百的“安全”，“冷水”趋于隔靴搔痒。
然而，存储制造产业项目是把双刃剑，让紫光集团花出去700亿美金的时候收获风光无限，正如每次签约仪式上政府领导都会因为新的GDP蛋糕而喜笑颜开，但存储业者，尤其是占有最大需求企业存储市，很大会更加关系这种投资真的会如预期的那样好么，而也许会是紫光倒下去的导火索。
所以说，“下一个倒下的会不会是紫光”，这种考虑并非那么不实际？
当下需要这种投资么？当然，毋庸赘言是肯定了。很多因素都在支撑个结论。大数据、云计算、万物互联等需求加速了闪存把HDD赶下神坛的需求，而平面闪存又因摩尔定律对制程工艺的挤兑而让位3D NAND。换句话说，这正是全球企业级应用闪存产业技术供应与市场需求刚起的年代，紫光集团表示，这些半导体基地投资主要将用于生产 3D NAND Flash、DRAM 等内存芯片，所以说，中国自主产业的此时切入自然是正当其时了。
不过，还有个理由似乎没太引起大家的注意。那就是，虽说全球3D NAND Flash已经被三星、东芝/闪迪、美光/英特尔、海力士瓜分殆尽，但这种垄断之势的源头在于他们获得了先进的3D NAND架构技术。目前三星、东芝的3D NAND技术最早都是源自于飞索(Spansion)的Charge Trap架构，接下来英特尔和美光在今年64层技术竞争的时候，也是要转成Charge Trap架构。紫光下的长江存储在去年获得了飞索在3D NAND架构上的IP授权，这才是其入市的真正门票。
老话儿讲，“好的开始是成功的一半”。不过，这张门票却不能成为此时给紫光庆贺的理由，其反倒更像个烫手的山芋。
首先，这也许是个离看台太远的门票。三星是最早获得这种授权的，所以2013年其就研发出堆叠24层的3D NAND，同年就量产 48 层 3D NAND 内存，从而使其在如今的闪存市场可谓是一骑绝尘的感觉。紫光与飞索合作的目标在于共同研发32 层堆叠 3D NAND Flash，这就意味着未来武汉长江存储为此弹冠相庆的时候，已经被三星落后了很远了。
当下，东芝、三星、sk海力士已经在64层技术上磨刀霍霍，紫光势必成为看客。更有甚者，长江存储此前还专门发布新闻稿澄清，从未发布过 32 层 3D NAND Flash 今年量产的消息，目前连要生产的产品都还未有着落。
其次，飞索的IP授权会有多大价值。中国半导体产业的最为薄弱的环节就在于IC设计，中国严重缺乏芯片核心设计的创新能力。为此，两年前国务院发布《国家集成电路产业发展推进纲要》首要任务和发展重点就在于“着力发展集成电路设计业”，旨希望“以设计业的快速增长带动制造业的发展”。
紫光希望弯道超车，买来设计IP也是好事。毕竟可以期望，未来其可以有如今华为通过海思挤兑高通那种成就的出现。但笔者咨询相关人士谈到，存储器的制造技术门槛更高，涉及到高深宽比的沟开挖、完全平行的侧壁、在整个硅片面上均匀的淀积层等诸多技术壁垒，其中又涉及到关键制造设备等引入与掌握。显然，这是一个有着高长期投入风险的行业。
紫光几乎零基础的产业进入，挑战毋庸赘言。而且，从2D转向3D，制程工艺的要求放缓了，未来比拼的重点应是堆叠技术。可以采用更为成熟的2D制程，这对紫光来说是优势，但如今大家都开始比拼64层堆叠工艺了，堆叠技术的竞争又会留给紫光多少机会呢？
也许，我们能在这上给予紫光更多希望，例如赵伟国一直希望战略投资美光，我们或许期望美光成熟的3D NAND制造技术可以让其拿来即用，至少可以降低投资成本。又或是，紫光与西数在南京联合成立了合资公司，而西数继续保持了与东芝在3D NAND研发上的合作关系，3D NAND制造也许在紫光南京半导体产业基地项目上会是个很好的突破口。
再者，期望投入之后的产出能否适合那时的市场需求。
1）投资规模够用么？例如，三星也正于京畿道平泽建设新厂，预定2017年上半启用，第一期投资额15.6134亿美元，建成后估计12寸晶圆月产量可达20万片。而以紫光南京半导体产业基地为例，其一期将投入约 100 亿美元，目标月产能约 10 万片。且不论技术工艺能力如何，这种投入产业比的比较，意味着紫光在存储制造上的投入还需要更具规模。还有，几家巨头在3D NAND生产投入上是从2D NAND制造生产线上转型，例如三星在2016年将西安Fab 16工厂16nm MLC产线转向48层V-NAND，而3D-NAND Flash的厂房新建等投资会远高于2D时数倍，这就更意味着投资3D NAND产业上巨头们的优势未来会更佳显现。
2）产能提升还重要么？针对企业级3D NAND Flash，除了市场缺口和技术应用刚刚兴起给中国留下机会外，产能也给中国留下了巨大的想象空间。但是，这个空间也面临着巨大挑战。例如，根据外媒报道，2017年三星新工厂Fab 17和Fab 18也都将投入V-NAND生产，3D技术也将向64层提升，预计三星V-NAND生产比重在2017年Q1可达到45%，Q2将达到50%以上，如今三星在2016年底V-NAND生产比重已突破35%。东芝计划在未来3年内投资额达8600亿日元（75亿美元），其中包括将在2017年3月开始建设的新工厂Fab 6，2018年Q3开始量产3D NAND，以及更新现有设备等。这或许意味着，长江、南京、武汉之后首先会是竞争对手在产能上的挤兑，即使目标月产能约 10 万片能实现。
3）紫光如何承受投资周期的漫长。NAND带来的技术壁垒势必导致投资周期的漫长，连现有巨头都未能幸免。例如，英特尔在2015年3月宣布研制出了32层3D NAND技术，直到一年后的2016年4月才有产品现身，而此时三星已经开始酝酿64层3D NAND 芯片的投产了，但东芝恐怕要到今年下半年才有量产64层的3D NAND能力。他们尚且如此，紫光的前途更会是荆棘坎坷。
综上所述，投资存储制造业既造就了紫光之美，也让其背负了存储之累。从这方面看，其挖角“台湾RAM教父”的南亚科总经理高启全，中华电信前任董事长、台积电前任首席执行官蔡力行和台联电前任首席执行官孙世伟等，似乎也只能算是完里长征第一步。
但不可否认的是，当前布局都是大基金的长尾，想象空间还是巨大的。
