一年一度的闪存大会已经开始了，各种新产品都憋在这几天一窝蜂的亮相了。3D NAND，V-NAND，NVMe，NVMe over Fabric，NGFF，NGSFF，ruler，各种眼花缭乱的名词，形态各异的产品着实闪亮，我们来扫一眼三星，英特尔，巨头们都发布了哪些闪存产品。
三星全新高密度硬盘放进2U机架能达PB
三星在闪存峰会上介绍了将在明年推出的高密度闪存颗粒产品，如今三星的V-NAND技术进化到了第五代了，进入QLC的时代，每个die的容量为128GB（1Tb），单个V-NAND封装容量能达到2TB。同时还介绍了一种新的硬盘形态，NGSFF（注意不是NGFF），替代之前的标准M.2产品。
落到产品层面三星推出了16TB的NGSFF固态盘。基于这样的硬盘，1U的机架放36块16TB NGSFF能达到576TB，2U的话能到PB。
英特尔1U机架服务器就够1PB
英特尔发布了一款叫做ruler的产品，开拓出一种新的form factor，这是有多讨厌原来的2.5寸，3.5寸小盒子，如今各种奇形怪状SSD产品真是层出不穷啊。不过，英特尔的这个东西是为机架服务器设计的，把它放进服务器里面，一台1U的机架服务器存储空间能达到1PB。以前的服务器要想有1PB空间，那么需要在4U的机架服务器中插满10TB硬盘，密度提升的不止一点半点。
另外，英特尔已经向部分客户提供了dual-port 傲腾固态盘了，这种盘主要应用于关键业务领域，值得一提的是E8的NVMe over Fabric全闪存阵列就是基于英特尔的dual-port傲腾做的。
东芝打破SAS固态盘的记录
东芝的新品大都用上了3D NAND，东芝的PM5系列12Gbit/s SAS SSD用了一种黑科技（four-port multilink），速度接近PCIe。值得注意的是PM5系列从400GB起步，最多能有30.72TB。性能方面，2.5寸盘随机读IOPS能达到40万，顺序读写性能能达到3.35/3.72，打破了SAS盘的新纪录。
NVMe盘方面，东芝发布了CM5，CM5也支持多流（multi-stream）写技术，NVMe over Fabric-ready。容量从800GB起步到15.36TB。性能方面， IOPS最高80万随机读，随机写IOPS为24万。
东芝还发布了一款SATA盘——SG6，SG6是SG5的升级版，采用了64层TLC，容量分为256GB，512GB还有1TB。
印象中，希捷在闪存领域步伐稍微慢一点，这次大会作为大赞助商展出是3D NAND芯片颗粒的产品。
Nytro 5000 M.2口NVMe SSD，它是XM1440的新版本，用的是3D NAND，MLC，分为容量型和耐久型两种，容量从400GB起步最多1.92 TB。性能方面Nytro 5000最高写IOPS能达到6.7万。耐久性方面，支持1.5个DWPD写五年，MTBF 200万小时。
Nytro 3000 是dual port双端口SAS盘，最高容量15TB，顺序读取性能能达到2.2GB/s。采用3D NAND eMLC介质，随着容量的提升DWPD也会有所提升。希捷的全闪存阵列RealStor 5005用的就是Nytro 3000。
希捷还发布了64TB AIC，这款卡上集成了8个PCIe控制器，采用MVMe协议，最高13GB的顺序带宽，2018年将正式推出。据了解，希捷的AIC卡上有8个M.2模块，算起来每个M.2模块就是8TB。
美光
美光发布新的9200 NVMe SSD，与前代的9100相比，容量从3.2TB提升到了11TB。9200分为 Eco，Pro和Max三个型号，Eco是读优化，Max是写优化，Pro处于两者之间。产品形态是U.2，半高半长。采用NVMe PCIe 3.0。
从9100到9200，提升的除了容量还有性能，最高的随机读取IOPS从75万，提升到了100万,随机写从16万提升到了27万。
