当地时间本周一，在旧金山举行的2006国际电子装置会议上，IBM和Qimonda公司、Macronix 国际公司联合宣布，它们开发出一种“相变”材料，利用这种材料制造出一款储存芯片原型，未来这种新产品可能将取代闪存和硬盘。
三公司称，新材料的发现是半导体行业的重要里程碑。储存芯片原型尺寸为3纳米 X 20纳米，比目前闪存芯片节省一半能量消耗，运行速度快500倍。而且有很长的耐用性，可重写十万次。
三公司指出，新的芯片原型具有非失易性，停止能量供应仍然可以保存数据。旧金山大会将对它们新开发的材料和芯片进行评估。
分析师表示，新材料面临的挑战是，它的设计必须简化易于制造，必须有较高的成本效益才能够对芯片 制造商具有吸引力。并需要通过充分开发才能够成为商业化产品投放市场。
在全球闪存市场，IBM三家公司不是唯一进入新领域探索的厂商，英特尔和意法半导体、三星电子已经开始了行动，英特尔和意法半导体联合宣布将在2007年推出128MB闪存芯片，三星电子也宣布2008年将发布512MB 闪存产品。
