9月28日上午10时，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房，实现提前封顶。这标志着开工9个月的国家存储器基地项目建设向前迈出了坚实一步。
湖北省副省长周先旺，武汉市委副书记、市长万勇，华中科技大学党委书记路钢，武汉市委副书记、常务副市长陈瑞峰，湖北省政府副秘书长贺盛有，武汉市委常委、东湖新技术开发区党工委书记程用文，武汉市政府秘书长刘志辉等领导和省市发改委、财政厅局、经信委、科技厅局、消防部门和武汉海关等部门负责人莅临项目现场调研。紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国向到场领导介绍项目建设情况。
赵伟国董事长强调，存储器基地项目是中国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破，相当于中国科技领域的辽宁号航空母舰出海试航。该项目实现提前封顶，这是为不辱使命、坚定不移推进国家战略所必须要做到的。客观地说，我们在核心技术和产品结构上仍然与世界一流水平存在差距，实现追赶超越的目标绝非一朝一夕，需要坚定的战略定力和耐力，以及矢志不渝的长期投入；而另一方面，从现在开始到未来的5-10年，也正是中国集成电路产业发展的最佳窗口期。既然选择了存储芯片作为切入点和突破口，紫光集团和长江存储就一定要抓住机遇，直面挑战，知难而上，通过超常规的投入缩短发展周期，迅速登上全球存储行业的竞争舞台。
国家存储器基地项目不仅承载了武汉经济发展拼搏赶超和城市发展梦想，更是承载了国家信息安全、产业安全的战略使命。项目建设引起了业内的高度关注，这恰恰说明了这个项目的重要性和战略价值。自开工建设以来，湖北省和武汉市各级领导高度重视国家存储器项目进展，多次带队赴现场调研，协调解决各类问题，为项目发展做好政策保障、环境保障和服务保障。湖北省将举全省之力一以贯之地支持长江存储公司追赶世界先进水平，掌握存储芯片关键核心技术，建成世界一流的存储器研发制造基地，为推动我国集成电路产业发展做出积极贡献。
据悉，国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城，项目一期规划投资240亿美元，占地面积1968亩，于2016年12月30日正式开工建设，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash 生产厂房，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。此次提前封顶的项目（一期）一号生产及动力厂房建筑面积达52.4万㎡，预计将于2018年投入使用。项目（一期）达产后，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。
湖北省和武汉市将以建设内陆自由贸易试验区、国家中心城市为契机，集聚世界资源，全力支持国家存储器基地建成世界集成电路产业新高地。目前，东湖高新区已为国家存储器基地项目规划建设1100亩配套产业园区和1500亩国际社区用地，正在加快引进产业链顶级配套企业和国际化人才；并加快建设武汉国际微电子学院，组建长江芯片研究院、国家先进存储产业创新中心、存储芯片联盟、国家IP交易中心，努力打造世界级的集成电路产业创新中心。
