根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，2017年第三季度的DRAM产业营收表现又再度创下历史新高，受惠于传统销售旺季加上供给端成长有限，各类DRAM产品合约价普遍较前一季再上涨约5%。从市场面观察，第三季度DRAM总营收较上季再成长16.2%，整体产业仍处于供货吃紧的状态。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷预测，第四季DRAM价格平均涨幅将落在10%。其中，PC-OEM厂已议定第四季度合约价格，就一线大厂定价来看，均价已正式突破30美元，落在30.5美元，较上一季平均涨幅约达7%；从市场面来观察，此波涨幅主要受到行动式内存接棒涨价带动，配合DRAM供给吃紧的状况延续，以及智能手机旗舰机种的旺季效应，以三星为首的DRAM厂决定调升行动式内存报价，而手机客户为了备有足够库存也只能接受，因此行动式内存在第四季涨幅约有10-20%(取决于不同的容量)；而服务器内存拉货动能亦十分强劲，第四季度合约价继续上涨6-10%。
两大韩厂第三季合并市占率达74.5%，美光第四季可望缩小市占差距
综观第三季营收表现，三星依然稳坐DRAM产业的龙头，营收来到88亿美元，较第二季成长15.2%，再度创下历史新高；而SK海力士营收金额来到55亿美元，较前一季成长22.5%，成长动能显著，两大韩厂的市占各为45.8%与28.7%，合计已囊括74.5%的市占率。美光集团仍旧维持第三，营收金额为40亿美元，季增13.0%，市占21.0%。由于SK海力士本季平均销售单价高于美光，导致两者三季的市占差距持续扩张；展望第四季，由于美光逆势成为价格领导者，价格涨幅超越两大韩系厂，预计将缩减与第二名的市占差距。
受到价格持续上涨以及制程微缩所带来的成本效益，三星第三季度营业利益率冲破60%大关，来到62%历史新高；SK海力士亦从第二季度的54%再提升至56%；美光在17nm良率逐渐稳定下，营业利益率从44%来到50%，成长最为显著。展望第四季，受惠于DRAM价格持续上涨，各家获利可望进一步提升。
三星正思索扩产计划，SK海力士与美光专注良率与制程转进
观察各厂技术与产能布局，三星今年的目标除了专注于18nm制程的持续转进外，近几季DRAM同业的高获利，亦刺激三星开始思索可能的DRAM扩产计划，一方面应对供给吃紧状况，另一方面则期望提高DRAM产出量，压抑DRAM价格上涨幅度。三星此举将可巩固领先地位，维持与其他DRAM大厂1-2年以上的技术差距。
反观SK海力士今年目标还是着重于21nm的良率提升与该制程占比，18nm制程产品则预计年底会有小量出货；至于扩厂计划，SK海力士在中国无锡新建的第二座12英寸厂最快要到2019年才会有产能开出；而美光方面，台湾美光内存(原瑞晶)目前仍致力于改善17nm产品的稳定度，预期到年底良率可达80%以上，而台湾美光晶圆科技(原华亚科)今年仍以20nm制程良率的提升为主，明年将可望有一半产能转往17nm生产。
台系厂商部分，南亚科第三季营收较前一季小幅成长5.3%，主要因为该公司以利基型产品为主，价格上扬幅度不及国际大厂较完整的产品线。展望未来，由于该公司20nm良率继续提升，将会持续改善成本结构，增加南亚科的获利空间。力晶科技方面，DRAM季营收下滑3.6%，主因是替晶豪科、爱普等代工的获利佳，排挤部分DRAM产能；华邦方面营收则成长8.7%，但由于后续制程转进状况不明，未来获利状况将完全受内存平均销售单价提升的牵动。
