2017年12月5日，以“中流击水，浪遏飞舟”为主题的中国存储峰会在北京召开，会议由DOIT传媒、存储在线和中国计算机学会存储专委会联合主办，全天四十场+论坛演讲，众多业界大咖轮番上台，深入解读中国及全球存储市场现状及发展趋势，吸引了来自政、企、产、学、研、媒体等各方参与者超过2000人，观看在线直播观众超过7000人。
在下午的分论坛四中，武汉光电国家实验室谢长生主任作为首位演讲嘉宾，发表了《3D闪存容量与性能，鱼与熊掌如何兼得》的主题演讲，详细介绍了最新NAND型闪存的市场趋势，并针对3D闪存芯片的错误模式提供了测试分析，最后基于3D闪存芯片的系统设计给出了一些获得3D闪存性能和可靠性的优化策略。
武汉光电国家实验室谢长生主任
如今闪存越来越应用到3D上，闪存容量在快速提高，但它的可靠性却越来越差，我们在使用这种芯片设计系统的时候，希望其在容量提高的同时确保它的可靠性和性能不下降，这是我从我们研究单位的角度来说的问题。我们闪存密度提高，价格下降，在移动存储称为主流介质，在大容量存储方面也称为主流介质，我们用3D闪存设计系统的时候，很多系统设计者反馈说我们用新的芯片以后，手机一段时间性能就变差了，或是容易死机，固态盘的设计者也遇到这些问题，那我们怎么在系统设计的时候，提高容量的同时让可靠性不掉线。
以下为嘉宾演讲实录：
首先我们看看NAND闪存市场的趋势，现在闪存大部分用于SSD和手机，其他的还有一些卡的应用，按照现在的市场到2019年的预测，可能80%的系统都会应用到闪存或者混合系统。到2017年，超过50%系统已经用3D闪存芯片了，3D闪存已经成为主流。现在提高闪存容量主要有三个途径，一个是降低制程工艺，第二多阶存储，第三是多层堆叠，这个是我们最主要提高的途径，以前做到96层就行了，现在新的路线在美国今年提出的新技术路线图目标是要做到512层，以后堆叠的技术可能是芯片提高容量的最主要技术。
我们用越来越大的芯片设计固态盘，设计手机，容量大了，但性能和可靠性有所下降，那么鱼与熊掌能否兼得，既提高可靠性，性能又不下降？理论上是完全可以解决的，当时科学家香农在1948年发表的论文奠定了信息论的基础，实际上就告诉你通讯不管中间出现什么干扰，最终是有技术，是可以给你完整无误的从这一端传输到另一端。相同的信息理论是解决通信问题的，但是我们现在却把它解决存储问题，这是为什么呢。现在我们固态盘用的BCH，其实就是通讯里用的，1960年提出LDPC现在用于固态盘设计，这些都是通讯中移过来的，为什么通讯的理论可以解决存储问题呢，我跟大家交流一下心得。
我是这样理解的，通讯和存储都是信息传递，只不过通讯是信息跨越空间的传递，而存储是信息跨越时间的传递，都是信息传递。我们看一下，这是时间轴，这是空间轴，比如说老子在2500年前写的《道德经》，我现在读到了，这个时间跨度实际上2500年，他可能在河南写的，我在北京读的，还有个空间跨度，时间就是存储，空间就是通讯。比如我们现在发电子邮件，假如我从武汉发到北京，这跨一个空间，这是通讯，你朋友可能过一个小时才看到这个邮件，存到某个地方你才能看到，这就是存储。所以实际上信息传递都是时空二维的，只不过考虑时间就是存储，考虑空间就是通讯，这个理论不光光适合于通讯，也适合于存储，本质上是适合信息传递的，只要是信息传递这个理论就可以适用。所以我们只要把通讯理论这个维度扩展到时间维度上去，就成为存储的理论，所以我们就可以借用通讯理论的根本原因，就是因为通讯理论实际上是一个传递的理论，我们把它应用到时间传递上，它就可以解决我们的存储问题，这样我们就能理解为什么我们那么多的理论都可以从通讯中得到。
但是存储也有它的特点，存储也一样，你存进去的东西我读出来要一模一样，通讯是空间信道，存储是时间信道，存储介质的失效就是噪声，这样我们就可以分析整个的存储问题了。存储其实比通讯要复杂，我们来看现在这块闪存是怎么出错的，也就是噪声是怎么产生的，我们才能分析怎么设计更可靠的系统。
闪存单元的出错模式，对它的分析对我们的系统设计是非常重要的，闪存的噪声主要是由于电荷存储，它把电荷封在一个绝缘体，它如果漏电，漏光了，0就变成1了，就错了，而且对多阶存储更敏感，你漏一点就会下降到另一个台阶上，漏电对它的影响特别大，稍微漏一点就错了，这是电荷泄漏是它出错模式的一个方面。第二个方面就是擦写磨损，要全擦了以后才能编程，得出新的数据，这样次数越多绝缘层就破坏越多，就越容易漏电，漏到一定程度就保存不住了，这个闪存就坏了。第三是读写干扰，读写的时候相邻的对它也有影响。还有性能会下降，我们为了解决这些问题，现在发展了很多闪存技术，比如我们想使它磨损的均衡一些，我这一块和那一块几万个地方均匀的磨损，还有数据布局、垃圾回收、纠错编码、健康管理、故障预测，很多方法我们都要保证它的可靠性，还有现在用到了一些人工智能的技术。为了对3D芯片的出错模式进行比较细致的研究，我们实验室课题组就专门研究3D闪存，对它的芯片进行了实验的研究，看看到底出错是怎么发生的。
现在3D闪存主要有两类，更多的是用电荷捕获的技术，这两种各有各的特点，第一种结构数据保留性较好，单元间干扰比较小，FG比较差，在以后互相干扰很严重，电荷复核就比较好，速度和能耗都有一些差别，现在更多的3D闪存是用的电荷捕获型，我们看看未来对3D闪存芯片有一个全面的认识，厂商给的数据实际上就是一些容量、速度这些方面的指标，但是在设计的时候你要知道的东西比这些更多，才能设计出来更好的系统。
我们进行了长期测试以后，发现3D层和层之间差别比较大，这是因为工艺从上到下有所区别，造成延时就不一样，层与层之间变化非常大，所以你设计的时候你要知道你用哪些层快一点，哪些层慢一点。但是在这个平面我们测差别就不太大。第二数据的耐久性，我们也是测了很多，一个是把它写坏，随机的写，写坏了以后就停止测试，我们看到不同的闪存块寿命是不一样的，它会在4000到6000之间波动，我们一个闪存芯片有些块是寿命长一些，有些是寿命短一些。不同的块随着擦写次数的增多，不同的块之间是有差别的，但是在这个平面上差别就不大。3D是多层的，引入了一个新的层间的干扰希望，上层和相邻的层对它的干扰是最大的，你看竖的层面上对它有20%的干扰，下面对它有30%的干扰，竖的方向干扰是比较大的，水平方面就小得多，所以有位置相关性。还有读的干扰，我们也对芯片进行了详细测试。
还有电流捕获型的，和2D也有一些变化，这些变化就造成它性能上会改变。我们看看3D闪存出来以后它和2D有什么不同，最主要的不同就是层与层之间有不一致性，有些很明显，而且层结的串扰和持久性耐久性问题更为严重，还有页数量和页尺寸变大，垃圾回收之类的就有一些问题。我们做了很多研究，除了大家已知的技术，我们还探索了新的技术，我举几个例子，刚才说3D芯片出现以后和2D相比有一些不一样的地方，它的块和页容量变大，我们怎么优化呢，就用了一个纸分页，还有磨损均衡，以前磨损均衡都是根据已经使它的可擦写次数比较均匀，但是我们发现这个并不是非常好的磨损性的指标，我们现在提出来以编程的错误率作为它的测率，这样能更好的发挥介质的作用。
假如你均匀看待，有的块寿命长，有的块寿命短，我们现在以编程错误率来看就可以发挥不同的寿命块的潜力，使我们整个系统寿命更长。还有垃圾可回收、还有内部RAID构建，还有新的错误感知，这样更好的来纠错，我们发展了一些新的方式来保证可靠性。我们也发表了一些文章，在现有大家熟知的技术上我们发展了一些新的技术，用这些技术就可以使你采用更新的3D闪存芯片，你设计的系统可靠性可以得到更好的保障，它的寿命也会更长，这样你的产品就和别人有区别，性能大家都差不多，但是用了一段时间，你就发现我们可以设计出一个更有竞争力的产品，别人同样用这个芯片，我们新盘的时间都差不多，或者手机都用同样芯片，但是你用了一年之后，你设计上面有新的考虑以后，你的寿命比别人长，性能又比别人好，你就可以具有优势，我们做了这些研究工作，也希望厂商们我们一起合作，可以设计下一代芯片的时候，能够设计出更好更可靠的产品，使我们在市场竞争中抢得先机，现在已经有一些企业和我们合作，我们也欢迎用闪存做产品的公司，我们一起来探讨。
