第三类存储技术写入速度比目前U盘快1万倍
国际半导体电荷存储技术中，“写入速度”与“非易失性”两种性能一直难以兼得。记者日前从复旦大学微电子学院获悉，该校张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件，开创了第三类存储技术，不仅可以实现“内存级”的数据读写速度，还可以按需定制存储器的数据存储周期。
据张卫介绍，目前半导体电荷存储技术主要有两类，第一类是易失性存储，如计算机内存，数据写入仅需几纳秒左右，但掉电后数据会立即消失；第二类是非易失性存储，如U盘，数据写入需要几微秒到几十微秒，但无需额外能量可保存10年左右。
为了研发出两种性能可兼得的新型电荷存储技术，该团队创新性地选择了多重二维半导体材料，堆叠构成了半浮栅结构晶体管：二氧化钼和二硒化钨像是一道随手可关的门，电子易进难出，用于控制电荷输送；氮化硼作为绝缘层，像是一面密不透风的墙，使得电子难以进出；而二硫化铪作为存储层，用以保存数据。周鹏说，只要调节“门”和“墙”的比例，就可以实现对“写入速度”和“非易失性”的调控。
此次研发的第三代电荷存储技术，写入速度比目前U盘快1万倍，数据刷新时间是内存技术的156倍，并且拥有卓越的调控性，可以实现按需“裁剪”数据10秒至10年的保存周期。这种全新特性不仅可以极大降低高速内存的存储功耗，同时还可以实现数据有效期截止后自然消失，在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。
最重要的是，二维材料可以获得单层的具有完美界面特性的原子级别晶体，这对集成电路器件进一步微缩并提高集成度、稳定性以及开发新型存储器都有着巨大潜力，是降低存储器功耗和提高集成度的崭新途径。基于二维半导体的准非易失性存储器可在大尺度合成技术基础上实现高密度集成，为未来的新型计算机奠定基础。（素材来源：科技日报）
百度原创图片服务平台“图腾”上线
从刚刚曝光的官方介绍来看，这一服务平台主打以下几大功能，试图通过区块链公开透明性，解决行业信息不对称、流程效率低等切实痛点，重构图片行业秩序：全流程版权保护：将作品版权信息永久写入区块链，基于区块链的公信力及不可篡改性，结合百度的人工智能识图技术，让作品的传播可溯源、可转载、可监控。多渠道内容分发：基于图像分析、语义理解等多项人工智能技术，构建图片Tag智能推荐和图片检索子系统。并且依托百度系产品流量支持，精准匹配图片内容与用户需求，实现图片供需双方高效连接。技术赋能生态：建立基于区块链技术的版权登记系统、人工智能视觉检索系统和版权图片检索系统，发挥百度技术生产力，赋能原创作品版权登记、监控与维权。
目前已有知名摄影师孙郡等十余名原创作者进驻“图腾”。为吸引更多原创图片作者，百度给出了原创认证、流量导入和品牌曝光等多项专享权益，并为原创作者们打造个人品牌专区。（素材来源：雷锋网）
我国首批32层三维NAND闪存芯片将于年内量产
4月11日上午，位于武汉东湖高新区武汉未来科技城的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装，标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。
据介绍，总投资240亿美元的国家存储器基地项目于2016年底正式开工，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设。2020年全面建成后，将实现中国集成电路闪存芯片产业规模化发展“零”的突破。去年，基地成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片，这是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，在填补中国企业芯片领域空白上迈出了重要一步。4月9日，芯片获得中国电子信息博览会金奖。
据悉，目前我国通用存储器全部依赖进口。在去年国家存储器基地项目生产厂房提前一个月封顶、32层三维NAND闪存芯片自主研发取得重大突破的基础上，如今又提前20天实现了芯片生产机台搬入。预计今年10月，项目一期建成投产，首批32层三维NAND闪存芯片将实现量产。明年底，64层闪存产品产能实现爬坡量产。中国“缺芯少屏”的历史将由此改写。
