4月11日，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。装机典礼，由紫光集团暨长江存储董事长赵伟国亲自主持，国家集成电路产业投资基金股份有限公司（大基金）总裁董事长丁文武也到场支持，紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全表示，长江存储已经获得第一笔10,776颗芯片的订单，算是11日装机仪式中的最大彩蛋！
国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装启动仪式
紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国发表讲话
紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国在讲话中强调：国家存储器基地项目是中国集成电路闪存芯片产业规模化发展“零”的突破，相当于中国科技领域的航空母舰。在生产厂房于去年9月提前一个月封顶、32层三维NAND闪存芯片自主研发取得重大突破的基础上，今天我们又提前20天实现了芯片生产机台搬入。这正如航母舾装完毕，开始装配武器弹药，下一步就要在今年底实现芯片量产，出海远航。或许不久就可以看到采用国产三维NAND 闪存芯片的智能手机问世。
长江存储武汉新厂房的启动，代表国内实现3D NAND量产的全新起点，对中国半导体产业极具里程碑意义！紫光在武汉、南京、成都三地皆具备12寸厂，率先启动的是武汉基地，赵伟国指出，武汉将募资800亿人民币，日前金额已经全数到位，今年可进入小规模量产，明年进入128Gb的3D NAND在64层技术的研发。
业内人士认为，现在NAND Flash大厂三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、东芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)主流的3D NAND技术是64层和72层，虽然今、明两年将跨入96层技术，但这个技术门槛十分高，要进入大量生产需要一些时间，如果紫光可以在64层3D NAND技术如期研发成功，那国内自主存储技术的脚步将更为坚定。
装机典礼现场
长江存储的装机典礼后，针对全球来参加的半导体设备供应商举行了“自主创芯 携手共赢”的2018供应商大会，高启全在会中宣布，长江存储的32层3D NAND芯片已经接获首笔订单，数量超过10,000颗，达10,776颗芯片，将应用在8GB USD卡上，这代表国内3D NAND芯片研发已经跨出成功的第一步，不但研发成功，并且进入商用化！
国家存储器基地
事实上，长江存储的武汉基地第一期生产线进度十分快速，2017年9月已提前封顶，2017年11月长江存储第一颗32层3D NAND芯片宣布研发成功，而2018年2月进行厂内洁净室、消防等系统安装，4月11日这天正式举行半导体设备装机典礼，实现国内3D NAND芯片量产仅一步之遥！
赵伟国再强调，除了武汉的长江存储基地所需800亿人民币到位，另两大基地成都、南京也会各自会再投入500亿元，加上紫光正和重庆市政府、大基金等成立注册资本1,000亿元的新公司，五年备妥3,700亿元的资金要把芯片产业建起来，这是个大战略布局。未来武汉长江存储的长期规划是单月高达30万片的12寸晶圆产能，加上南京、成都两大基地，紫光集团的“芯”布局绝对是推升全球半导体产业往前冲的一大助力，集团内部也期待在3D NAND技术领域在未来2~3年要弯道超车，积极累积手上的专利，关键是要在2020年上好好打上一仗！
11日的装机典礼中，全球半导体设备大厂高层齐聚一堂。华芯投资管理有限责任公司总裁路军、副总裁任凯，紫光集团总裁张亚东，联席总裁齐联、王慧轩，紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事长高启全，长江存储总裁杨士宁，国家集成电路产业投资基金副总裁兼长江存储监事会主席彭红兵，长江存储副董事长杨道虹，与武汉市委副书记、常务副市长陈瑞峰，湖北省发改委主任、武汉市委常委、东湖新技术开发区党工委书记程用文，武汉市副市长徐洪兰，东湖新技术开发区党工委副书记、管委会主任刘子清，东湖高新区党工委副书记、管委会常务副主任陈平，武汉市政府秘书长刘志辉等领导，武汉市发改委、经信委、科技局等主要负责人参加调研；国际知名设备厂商TEL、LAM、AMAT，国内知名设备厂商北方华创、中微半导体等主要负责人参加活动。
