英特尔称，如在2010年新厂投产前获美国政府批准，也可能在大连采用更为先进的65纳米技术，而非现在确定的90纳米
英特尔周一宣布，将投资25亿美元在中国大连建立芯片厂，预计2010年投产。英特尔称，该公司已获美国政府批准，在2009年前出口90纳米技术，而大连厂的预计投产日期为2010年，届时如获美国政府新审批，也可能在大连采用更为先进的65纳米技术。
英特尔总裁兼CEO保罗?欧德宁(Paul Otellini)介绍说，这是英特尔在亚洲的首家芯片制造工厂，预计7月份开始动工。“中国是英特尔在全球增长最快的市场，在这一市场加大投入将使英特尔能够更好地服务客户。”最近几年，英特尔的竞争对手AMD的市场份额持续增加，迫使英特尔做出重要调整应对挑战，包括降价、裁员以及持续推出新品。
英特尔称，到2010年落成之时，大连厂将成为英特尔全球第八家12英寸晶圆厂，其余七家分别位于美国、爱尔兰和以色列。大连厂投资总额达25万，超过了英特尔以往在中国内地建立芯片测试和封装厂13亿美元的投资总额。尽管该厂将采用中国当前最先进的90纳米技术，但仍比英特尔最先进的技术落后一至二代。
据悉，12英寸晶圆的制造成本低于8英寸晶圆，且节省40%的能源和水。此前，大部分国外芯片厂都在中国建立技术含量较低的芯片测试及封装工厂，极少数采用尖端技术从事芯片生产。
