DCIG分析师Ken Clipperton写下了一篇名为《NVMe释放存储系统性能，推动存储系统创新》（NVMe Unleashing Performance and Storage System Innovation）的报告，提到了推动存储系统变革的两大技术因素，一个是NVMe协议，一个是一系列的SCM。
报告中提到，主流企业存储厂商都在采用NVMe，包括 HPE，NetApp，Pure Storage，Dell EMC，Kaminario和Tegile都提供全NVMe阵列。而且，这些厂商也表示很快会支持SCM。NVMe的SSD带来了大的变化，支持SCM会带来更大的变化。
NVMe闪存的澎湃性能让SAS成昨日黄花
使用NVMe协议与存储系统中的SSD通信，可提高每个处理器和整个存储系统的效率和有效性能。与传统的基于SCSI的协议相比，精简的NVMe协议栈降低了处理开销。这样可以降低存储延迟，并提高每个处理器的IO，带来的好处是大大滴。
NVMe显著提高了每个SSD的带宽。大部分的NVMe SSD都有4通道的PCIe连接器，带宽最高能达到4GB/s，比双端口的SAS盘高出50%以上，后者最高能达到2.4GB/s。SAS的带宽一般都是跑满的，所以，NMVe带宽增大可以直接提升系统的性能。
最新一代的NVMe全闪存采用的是新一代的英特尔处理器，单位空间可提供更高的性能，新的处理器有助于释放NVMe的威力。以Nimble为例，新一代Nimble扩展性是上一代产品的两倍。
MSCM也还是非易失性存储
NVM（非易失性存储）是指掉电的时候数据也不丢失，这是一个用了十来年的技术术语，常见的EPROM、ROM、NAND闪存都是非易失性的，另外，新兴的技术包括3D Xpoint，ReRAM，MRAM和STT-RAM都是非易失性的。（注：在今年英特尔的技术媒体沟通会上，英特尔的高层公开否认3D Xpoint是SCM）
由于非易失性存储这么普遍，所以很多人都把即将在企业级存储领域大范围使用的SCM称作字节寻址的非易失性存储，这其中包括3D Xpoint，ReRAM，MRAM和STT-RAM。
SCM相对于NAND有很多优势：
非常低的延迟
更高的耐久性
类似于DRAM的字节寻址
SCM推动存储系统创新
基于NVMe/PCIe的字节寻址的非易失性存储打开了存储架构创新的新篇章。SCM通常被用作扩展的Cache或者最高性能Tier的持久化存储。所以，大多数情况下，SCM的定位是补充NAND的空缺，而不是取代NAND。HPE宣布将采用英特尔的Optane作为DRAM cache的扩展，从HPE 3Par 3D Cache的测试数据中可见，时延降低了50%，而IO提升了80%。
SCM的创新应用中有一些做法可能永远不会成为主流，但在一些极端的场景中，比如毫秒的延迟关系到百万美金的情况下，就会发挥很高的价值。E8 Storage在E8-X24中完全采用了傲腾SCM，性能高的不要不要的。
保持冷静，认清当下，谋划未来
人们总是高估眼前的努力而忽视长期积累的作用。NVMe是一个令人兴奋的突破，但在2018年，NVMe在超融合和全闪存阵列方面带来的变化还非常有限。尽管如此，IT专家们还是应该不断寻找与NVMe结合的应用场景。
从长远来看，NVMe和SCM都是迈向新数据中心架构的关键步伐，我们建议企业技术人员在2020年前，做一些NVMe和NVMe-oF方面的技术更新。在2020年之后，企业技术人员应该围绕可组合的数据中心架构规划技术更新路线。
即将于2018年7月21-22日举行的2018全球存储半导体大会上，将有一大波NVMe全闪存阵列产业实践派，SCM创新介质的学术派和实践派专家畅谈两大闪存的热门技术话题。其中包括上文提到了多家领先存储厂商专家，但远不止于此，更多值得期待的内容，大会现场等你挖掘。
