2018全球存储半导体大会开幕当天上午，中国科学院院士刘明发表了题为《半导体发展态势与机遇》的主题演讲，刘明院士从存储半导体的起源讲起，回顾了存储器的发展史，当前全球范围内的产业结构，中国在半导体行业的技术现状和产业现状，对中国在存储半导体行业的努力给予了肯定，在新的产业格局下还需要继续努力，她表示，一定要在国际化合作共赢的模式下发展自己的产业，与此同时，企业也要关注共性和原创性的发展。
以下内容整理自现场速记：
刘明：各位来宾大家上午好！非常感谢冯丹老师的邀请，我是一名科研人员，我的命题是《半导体发展态势与机遇》。
首先来看现在主流技术发展的现状。
半导体存储大概分类为非易失性和易失性。我们看到，易失性的存储器没有太大的变化，非易失性存储有很多类，如今最主流的就是闪存。
这些年，发展出来了很多新型闪存。
闪存从器件层面到架构层面经过了漫长的时间。
经过长期发展，存储在半导体产业当中成了一个份额最大的产业，占整个半导体产业的近1/4。
目前，整个存储行业当中，中国的闪存基本依赖于进口，但同时中国也是最大的消费国。全球DRAM和闪存有垄断化现象，三星、美光等占据了95%的DRAM被市场份额。
NAND闪存具有大容量、低成本、低功耗的特点，整个发展的进度已经达到20纳米以下的技术节点，这是中国整体的发展水平。中国在存储业投入了很多力量，中国在NAND半导体行业技术发展最快，我们刚刚进入DRAM领域。
3D NAND是三星最早提出的一个技术，三星在这个方面投入巨大。2014年，三星开始量产3D NAND，最早把32层3D NAND投向市场，目前64层也已经开始量产了，还有了96层3D NAND的计划。
新型存储器技术发展现状-RRAM。即目前没有大量进行生产线生产的，这一类技术是从物理原则上来看新的新型存储器。磁存储的概念得益于物理，大家中学学物理都知道,很多材料存在着磁阻效应，在大磁场的变化下，其实这个材料本身会测出一个电阻的变化，这个电阻就称为磁阻，但是恰恰自然界很多材料的磁阻是非常弱的，所以我们只有在非常大的磁场下才能测出这个效应。
现在讲的磁存储的应用得到更广泛的应用，是22纳米节点引入嵌入式的方案，每一个技术有好的地方也有不好的地方。从2000年开始，这个领域开始热起来了，所以现在大家投入了很多研究，无论学术界还是工业界都投入了大量的研究。
国内存储研究领域的积累。今天我们大家坐在这里谈存储，退回去五年十年前，中国存储是没有什么自主知识产权可言。大概过去三十年中国在自然基金以外对存储领域的有许多投入和研发支持，正因为有了这样的投入，中国也有了一些积累，当然，与中国研究人员的努力是分不开的。光学术界以外，还有许多项目都是跟产业界共同合作的。
早年在纳米晶存储器成套技术，正因为这样一些积累才有了这样一些技术的积累。其实中国的研究对研究这会儿的要求很高的，因为学术界不光有很好的积累，也需要具备很好的跟产业合作的经验。
最后总结一下，存储器是一个市场很大的产业，希望大家共同努力。我觉得中国要实行创新驱动的发展战略，必须要有芯片的支撑。大家谈的更多的是商业模式，但是商业模式和创新缺一不可。半导体一定是国际化的行业，一定要在国际化合作共赢的模式下发展自己的产业，与此同时，企业也要关注共性和原创性的发展，谢谢大家。
