近日长江存储官方透露，将于8月份在美国首次公布新型3D NAND架构Xtacking，据称该技术可将NAND传输速率提升至DRAM DDR4相当的水准，同时使存储密度达到行业领先水平，实现闪存行业的划时代跃进。
据长江存储介绍，Xtacking技术将为NAND闪存带来前所未有的超高传输速率，从而将NAND闪存应用产品，如UFS、消费级及企业级SSD的性能提升至全新的高度。在客户、行业伙伴以及标准机构的合力帮助下，Xtacking将为高性能的智能手机、个人计算、数据中心和企业应用展开新篇章。
Xtacking技术实现了NAND矩阵与外围电路的并行加工。这种模块化闪存开发和制造工艺将大幅缩短新一代3D NAND闪存的上市时间，并使NAND闪存产品定制化成为可能。
该公司表示，长江存储CEO杨士宁博士将于8月份在美国举行的闪存峰会（FMS）上首次公布Xtacking技术。不过未透露该技术将于何时投入生产。
长江存储目前已于2017年研制成功了中国大陆第一颗3D NAND闪存芯片，并力争凭创新实力成为世界一流的3D NAND闪存产品供应商。
今年5月19日，集微网曾报道，长江存储的首台光刻机已运抵武汉天河机场，设备相关的海关、商检及边防口岸的相关手续办理完成后，即可运至长江存储的工厂。据集微网独家消息，这台光刻机为ASML的193nm浸润式光刻机，售价7200万美元，用于14nm~20nm工艺。这也从侧面透露了长江存储3D NAND闪存芯片的工艺制程。这是长江存储的第一台光刻机，陆续还会有多台运抵。
同时，紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国强调，在生产厂房于去年9月提前一个月封顶、32 层三维 NAND 闪存芯片自主研发取得重大突破的基础上，现在我们又提前20天实现了芯片生产机台搬入。未来十年，紫光计划至少将投资1000亿美元，相当于平均每年投入100亿美元。
紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全透露，长江存储的3D NAND闪存已经获得第一笔订单，总计10776颗芯片，将用于8GB USD存储卡产品。
今年底，基地就将实现国产3D闪存的小规模量产，用不了多久就能看到基于国产闪存的智能手机、SSD固态硬盘。明年，长江存储还将开始64层堆叠闪存，单颗容量128Gb(16GB)。
