在美国闪存峰会（FMS）上，SK海力士公布了其未来闪存产品的技术发展路线图。但在营销相比现实情况有些跑偏，SK海力士已将新款闪存命名为“4D NAND”。这也意味着3D闪存系列增加了一个新规格，不过即便有其它一些现有闪存技术加入，但它看上去跟英特尔和美光开发的技术类似。
SK海力士新推出的4D NAND采用了电荷捕获型设计，类似三星和WD/东芝生产的闪存。多年来SK海力士一直使用Charge Trap Flash（CTF，电荷捕获型闪存）设计，因此不算新鲜，目前英特尔和美光是唯一两家采用浮栅技术的闪存制造商。这两家也计划在其新一代闪存进入市场后独立执行闪存开发工作。之后美光会采用自己的取代栅极技术（Replacement Gate），即简单的Charge Trap Flash技术的品牌重塑。换句话说，英特尔很快就会成为唯一采用浮栅技术的闪存制造商。
那SK海力士的4D NAND与竞争“对手”3D NAND的区别是什么呢？SK海力士称其结合了自身CTF设计与Periphery Under Cell（PUC）技术。简单来说，3D闪存由阵列和外围电路两个主要组件组成。与传统3D NAND相同，SK海力士的阵列是垂直堆叠的层用于存储数据，而外围电路排列在单元边缘。由电路控制阵列，但随着NAND层的增加，它就会消耗芯片空间，增加复杂性与尺寸大小，由此增加产品的最终成本。
为了解决这一问题，SK海力士的4D NAND采用了PUC设计，将外围电路放置在阵列之下而不是围绕，来提高存储密度，同时降低成本。然而，这与英特尔和美光首次推出第一代3D闪存设计相同，那边称之为“CMOS under Array”（CuA）。并且，三星也已经宣布其将来会转向CuA型设计，因此这绝不能算是新技术了。
然后同样也是在FMS上，长江存储发布了自己的新型3D NAND架构——Xtacking。恩，技术也是类似，只不过Xtacking技术是将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。如此还可以实现并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。
因此，SK海力士重塑现有技术必然不会将NAND纳入到第四维度。目前我们尚未看到这款新NAND如何发挥作用，但作为技术品牌的4D NAND更多像是一次疯狂市场营销。
除此之外，SK海力士的技术发展路线让人印象深刻。其将在2018年第四季度对第一代4D NAND采样。其中96层TLC闪存，面向SSD，其标准单晶圆（die）容量为1Tb，而面向BGA封装SSD，其单晶圆容量为512Gb。
SK海力士还在开发QLC 4D NAND。2019年下半年，这种96层闪存“变体”才会上市，远落后于其它要么QLC产品发售，要么今年上市的闪存制造商。目前为止，SK海力士看到了一条通往500层4D NAND的进击之路，但未对这一产品设立时间线。
