西部数据与东芝已经开发出128层512Gb 3D TLC NAND芯片

日前,Blocks&Files新闻报道称,西部数据和东芝已开发出128层512Gb 3D TLC NAND裸片,是东芝下一代3D NAND技术,被命名为BiCS5,目前的最新技术是BiCS4,是96层3D TLC,BiCS3为64层。

Wells Fargo高级分析师Aaron Rakers建立了一个生产模型,假设尺寸为66mm2,密度7.8Gb / mm2 。他认为东芝和西部数据将具有业界最高的NAND Flash密度。

对于3D NAND技术的发展速度,业内人士感到震惊!但是128层产品上市的速度不会那么快,预计未来2年内不会出现真正意义上的128层产品。

128层相较于目前最新的96层在层数上再增加33%,将具有更大的容量和更低的成本。不过,要实现128层3D NAND的量产,以及在市场上普及,却要花费1 -2年的时间,预计在2020年底才会实现量产,2021年产量逐步增加。

128层技术的发展可能会跟96层一样,甚至需要花费更长的时间。因为随着3D NAND堆叠层数越来越多,会使生产周期延长,而且初期良率也不佳。据悉,东芝和西部数据早在2017年6月宣布成功研发出96层3D NAND,但2018年9月才量产,时隔1年多的时间,因此2年内不会看到真正意义上的128层产品。

除了东芝和西部数据,三星也正在积极投入128层3D NAND的研发,这对于美光/英特尔、SK海力士、长江存储等同行竞争对手而言是不小的压力,尤其是长江存储。

从2D NAND开始,3D NAND的概念制造方式

继32层3D NAND在2018年投入量产后,长江存储基于Xtacking™架构的64层NAND样品也已经送至合作伙伴,并计划在2020年跳过96层3D NAND,直接进入128层堆叠。长江存储是打算在128层发力,快速缩短与三星、东芝等国际大厂之间的技术差距。

2019年初三星、东芝、美光基于96层3D NAND已推出了UFS、SSD、MicroSD等新品,但实际供货给客户的可能暂时只有东芝一家,所以市面上主流供货的仍是64层/72层3D NAND。不过,未来的一年内里,各家原厂会将重点放在提高96层3D NAND产量上,预计到年底才会成为主流技术,2020年才能实现在市场上的广泛普及。

如今,三星、东芝/西部数据推进128层3D NAND技术发展,说明下一代技术已列入了部分原厂技术发展的进程表,长江存储作为国内专注于3D NAND技术研发的企业,面对国际大厂之间越来越激烈的竞争,更要加快步伐。