据韩国媒体报道，近日，三星宣布已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上，开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器，能够应用于通用微控制器(MCU)、物联网、工业、消费类电子、汽车等，提升数据保存的能力。
报道指出，三星MRAM方案无需在数据记录期间擦除数据，并实现了比传统闪存快1000倍左右的写入速度。三星表示，由于它在断电时保存了存储的数据，并且不使用额外的备用电源，所以功耗也很优秀。
另外，这一方案结构简单，可以通过在当前基于逻辑流程的设计中添加最少的层数来实现，减轻了三星进行新设计的负担，并降低了生产成本。
随着三星大规模量产首款商用MRAM产品，业界开始猜测，具有低成本、更优速度和功率优势的MRAM是否会在未来取代DRAM与NAND，进而改变半导体产业格局？
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)认为，MRAM在电信特性上与现有的DRAM与NAND相似，但互有优劣。使用MRAM，需要改变平台的架构，因此未来MRAM可能会取代部分DRAM/NAND成为另一种分支型态的存储器解决方案，但不会完全取代DRAM/NAND。
此外，DRAMeXchange还看好MRAM与DRAM/NAND合作前景。一方面，MRAM与DRAM/NAND配合，可以取得省电以及性能的优势，另一方面，新的存储器加入，也能够避免原先存储器解决方案若有大缺货发生时的价格不稳定状况。（文章转自全球半导体观察）
