AMD和Intel一直在服务器能耗方面的展开竞争，而有些人是认为Intel在这场竞争中表现过软。这主要是由于Intel将FB-DIMM技术应用于Xeon处理器。虽然AMD的DDR2的功耗似乎也会随着工作量的增加而成比例增长，但仍优于FB-DIMM，这主要是由于每个FB-DIMM模块上都配置了一个功耗极大的内存缓冲区。
这种内存缓冲区会提高平台级的功耗，但是它也为FB-DIMM带来很多优势，这是DDR所不能比拟的。但是，如果AMD也采用同样方式，那么在公司和它的内存合作伙伴将FB-DIMM抑制器投放市场之前，FB-DIMM的优势至多还能在市场上延续一年。这种抑制会使DDR3更适合服务器。
AMD建议采取的解决方案被称为G3MX内存扩展器插座（G3MX）。新的G3MX技术旨在为DDR3提供FB-DIMM高级内存缓冲区（AMB），它具有高容量、宽带范围广和RAS（随机存取存储器）的特点，而且没有功耗这个令人头痛的问题，也不需要专门的DIMM。建立这种方案的前提也很简单：取消每个DIMM上的缓冲区，只在主板上配置一个缓冲器。这样你就能获得FB-DIMM的许多优点，外加许多其它的优点。
G3MX微缓冲区
G3MX的微缓冲区位于DIMM插槽和处理器插座之间，在插座的每个DDR通道上的缓冲区。在每个微缓冲区的背后是一对DIMM插槽，因此，可连接到8通道的内存控制器的DIMM的数量被加倍，最高可达到16。
当各通道按照上述形式被分开时（AMD称之为“差分模式”），每个插座上的内存带宽的数量就被乘以4。如果在一个系统中有多个处理器插座，那么AMD系统的HyperTransport基NUMA 设计就意味着，每个插座4倍的增长会导致系统中可用的内存带宽总量产生巨大的飞跃。
AMD并没有确切地表明G3MX会采用哪种插座形式。他们只是说G3MX将于2009年发布，并应用到某些产品中。其中有一种产品，即8核”Sandtiger”服务器芯片，已在AMD今天的讨论会上有所透露。
目前，还有一些传言，以我看来相当的可信。
Intel正在开发一款十分相似的微缓冲区基FB-DIMM替代品。就在AMD发布G3MX、花大力气避免出现FB-DIMM功耗的问题之时，我希望Intel也能在这个领域多花点时间进行改进。
