本周三星电子宣布推出12层3D-TSV（硅穿孔）封装技术。在原本8层High Bandwidth Memory-2（一种3D堆栈动态随机存取内存的存储接口，用于图形处理设备，计算机服务器，高性能计算以及网络）产品基础上增加了额外的四层，使得芯片保持原有尺寸的同时提升了内存容量。
三星表示该技术垂直堆叠了12个DRAM芯片，它们通过60000个TSV互连，每一层的厚度仅有头发丝的1/20。据称这是目前最精确和最具挑战性的半导体封装技术。
三星还表示：“利用这项新技术，可以堆叠12个DRAM芯片，同时保持与现有8层HBM2产品相同的封装厚度，即720μm。这对客户来说意味着即使系统设计没有任何变化，也可以生成高容量和高性能的产品。”
基于12层3D TSV技术的HBM存储芯片将很快量产，单片容量从目前的8GB来到24GB。
