最近，西数与Kioxia（原东芝存储，现已独立，中文名字铠侠）宣布第五代3D NAND技术BiCS5研发成功，2020年下半年将开始量产512Gbit TLC NAND，第五代NAND的下一阶段是1Tbit TLC和1.33Tbit QLC。
BiCS5采用的是112层NAND，BiCS4是96层，这是西数和Koxia联合开发的第二代采用串堆叠技术的NAND产品了，有猜测可能是由两层56层的NAND堆起来的。
虽然说从96层提升到112层，直观来看，存储容量提升大约为16%，但西数和Koxia表示存储空间提升了40%（将96层256Gb TLC NAND与112层512Gb TLC NAND相比）。
BiCS5预计将于本季度开始出样，下半年将扩大产能，所以，使用BICS5的产品预计最早在2020年底左右上市。
西数此前曾表示，希望BiCS5转型所需成本能比从64层切换至96层时候低一些，试图扭转世代更新时，成本不断上升的趋势。这意味着，迁移到112层的速度可能会比上一次转换还要慢，预计96层 BiCS4在未来相当长一段时间内仍是主流。
