IDC报告曾显示，到2011年，下一代内存模组的市场将从现在占据DRAM市场的29%增长到72%。
三星电子公司本周一宣布，将推出目前体积最小的2Gb DDR3模组的测试产品，这种芯片将主要用于制造计算机内存芯片。
通过50纳米电路技术，三星电子制造了用于RIMM的8GB内存芯片，三星方面表示，这项技术不需要传统的内存模组技术，也不需要内存堆栈组件，同时，这项技术还可以用于制造SODIMM、UDIMM、UIMM内存模块的4GB内存芯片。除此以外，这个2GbDDR3 DIMM能够被用于设计16GB的双面产品。
DDR3是DDR2的升级产品，脱胎于SDRAM技术，SDRAM技术一直被用于制造计算机或其他数码产品的存储工作数据的高速存储。
在建造了最新的2Gb模组之后，三星将“专注于最大程度上提高密度和节约能源，以让我们的2Gb解决方案能够像设计者需要的那样拥有扩展性。”三星半导体内存部门副总裁Jim Elliott表示。
这款最新的芯片还有一种配置了两个1Gb模组的版本，更大的模块能够帮助用户开发比双芯片产品节能至少40%的内存芯片，2Gb设备在1.5伏或者1.35伏电压下支持1.3 Gbps的数据传输率，是800-Mbps 1Gb双晶片套装的1.6倍。除此之外，DDR3内存中模块的减少降低了热量的散发。
三星计划明年将采用50纳米制程工艺的DRAM晶圆技术用于其内存模组的制造，并在今年年底前开始芯片的量产，而50纳米的1-Gb DDR2模块将从明年4月开始量产。
IDC此前预计，到2011年DDR3在出货量份额将从29%增长到72%，2Gb设备出货量份额将从3%增长到将近33%。
