据Wells Fargo高级分析师，Aaron Rakers表示，三星可能正在面临其第六代也就是128层V-NAND（3D NAND）技术的量产问题。
三星在进行的是单一堆栈技术（小编的理解是努力往上盖高楼且保证稳定性），而三星的竞争对手们则是如双层堆叠（比如2*72层）这样较小的层数构建100层以上的3D NAND。这被称为字符串堆栈（ string-stacking）。
比如，铠侠和西部数据的BiCS 5，112层芯片就使用了一对56层堆栈。
三星的第六代V-NAND是128层。第七代是166层。
显而易见，128层的单一堆叠晶圆蚀刻所花费时间是96层相同蚀刻的两倍。蚀刻产生一个穿过各层的导电垂直通道（ conductive vertical channel）。如果晶圆产量太低，那么三星的成本就会上升。
Rakers认为三星可能将其第7代，160层3D NAND芯片变更为字符串堆叠技术。不过，字符串堆叠的成本可能比单一堆叠高出30％，这也将激励三星完成其单层蚀刻的工作。
据Sammobile报道，三星已经专门成立了一个工作小组来解决良率问题。
