近期，据国外报道称，美光科技称长鑫存储（CXMT）开发的DRAM芯片可能侵犯其专利（这应该说的是2015-2017年的事，是现在才来翻旧账么？），意图提起诉讼。
长鑫存储正在构建8Gbit LPDDR4芯片。目前19nm晶圆芯片的产能为2万片/月，不过到了年底有望实现产能翻倍，达到4万片/每月。
4月份，长鑫存储与Rambus签署了DRAM专利授权认证协议。此前，2019年12月与Wi-LAN达成一项协议，以期通过2009年已破产的德国奇梦达公司开发的DRAM IP。19nm晶圆芯片就是成功将其46纳米工艺缩减到了19nm并实现商业化。
早在2017年，美光就其使用台湾联电非法获取的美光IP起诉过福建晋华（JHICC），导致禁运事件。
有相关人士猜测，美国可能会通过对源于美国半导体技术出口的制裁来针对长鑫存储。美光的任何法律诉讼都将加剧长鑫的问题。不过，当前形势下，即便长鑫存储的研发之路绕开了美光，绕开了三星，但前行的路依然困难重重。
