三星电子股份有限公司，今天在台北六福皇宫酒店举办的第六届三星行动解决方案论坛中，正式宣布已开始量产512-Megabit (Mb)相位变化随机存取记忆体晶片(PRAM, phase change random access memory)。 PRAM这种新型的非挥发性记忆体技术兼具了高效能及低耗电的特色，预期将可使行动装置的记忆体技术进入新的阶段。
高密度及高效能乃是智能手机最主要的技术要求，然而这两种特性都会使耗电量大幅增加。而相位变化随机存取记忆体晶片(PRAM)则大幅简化了资料存取的逻辑，对DRAM的支持仰赖程度较低，因此其用电效率极高。在使用PRAM的情况下，手机电池的使用时间将可延长20%以上。
三星电子公司记忆体事业部行动记忆体企划处副总裁Sei-Jin Kim表示："我们相信PRAM可为手机效能的设计做出极大贡献，尤其是多媒体手机以及智慧型手机。三星预期PRAM将成为公司未来的核心记忆体产品之一。"
这种512MbPRAM能在80毫秒内消除64KW(千字单位)，此速度比NOR快闪记忆体要快上十倍；而在大小为500万位元组(MB)的资料段落中，PRAM消除及重写资料的速度也要比NOR快闪记忆体快上七倍。
PRAM比目前正在研发当中的其他各种记忆体架构都更具规模弹性，一方面利用RAM极快的处理速度提供操作功能，同时又利用快闪记忆体的非挥发特性储存资料。
三星这项第一款PRAM产品是运用60奈米级技术生产，而这也正是目前用以生产NOR快闪记忆体的技术。至于未来的新世代PRAM则将采用更先进的技术节点制造，以加速产品的商业化应用。
