英特尔与芯片技术公司Numonyx周三发布了一项新技术。这两家公司声称该技术可以使非易失性记忆体突破NAND的20纳米限制，可以将处理尺寸降低至5纳米，而且可以取得很高的成本经济性。
此外，这种记忆体的堆叠阵列还具有取代现有DRAM（动态随机存取记忆体）与NAND存储工作的潜力。英特尔院士兼记忆体技术开发总监Al Fazio今天早晨在向记者们解释的时候表示说这甚至可以让系统设计人员"将一些DRAM和固态存储的功能放到一个记忆体类中去。"
简而言之，这将可以将DRAM和存储整合到一个高速高带宽架构中。但是，这个技术跃进还有很长的路要走–根据今天的发布内容，利用这种技术的产品要"许多年"以后才会出现。
Fazio与Greg Atwood（Numonyx高级技术专家）所描述的技术突破是指相变存储器（PCM）技术的进展PCMS（相变存储器与开关）。PCMS可以在同一个基本硫族材料上创造出薄膜记忆体单元与薄膜选择器，并将它们整合到一个交叉点架构中。
这种新型的薄膜选择器被称为双向阀值开关（OTS）。OTS可以在CMOS（互补金属氧化物半导体）基础上堆叠多层记忆体/选择器，从而创造出高密度和高带宽的PCM记忆体。
这种堆叠是他们的目标。在周三的发布中，他们表示正在开发64Mb的单层版本的新存储器架构。该架构将在2009年12月的马里兰州巴尔的摩国际电子器件大会上正式亮相。
但是多层版本的新设备还处于设计之中。Atwood表示："第一层是难度最高的层。"
根据Fazio与Atwood的说法，比起目前的NAND记忆体，PCM有很多优势。例如，NAND单元的电子器件数量会随着处理尺寸的缩减而减少，根据Fazio的说法，现在已经减少到"只有一点点了"。此外，NAND单元的内部电压会超过20伏，带来令人厌烦的电场干扰。
另一方面，根据Atwood的说法，PCM的比特是"类RAM"的，也就是说，它们可以独立修改，而不是像NAND那样需要以块为单位进行修改。
类RAM（随机存取记忆体）的功能有很明显的优势。Fazio表示："这个记忆体技术看起来就像记忆体–换句话说，硬件可以进行取出/保存操作，因为它可以在低延迟性下对小量数据进行操作，而且它是非易失性的，因此具有存储的非易失性特征。"
这听起来很好–尤其是考虑到未来摩尔定律将处理尺寸压缩到5纳米范围，以及今天所发布的技术将带来高成本经济性和高密度的封装。
Fazio和Atwood坚定不移地相信会做到这一点。
