在上周的CES展会上，SanDisk与索尼共同宣布了一项计划，双方打算联合开发两款新型大容量闪存，将闪存容量提升到TB级以上。
这两款新产品目前被暂时定名为"Memory Stick format for Extended High Capacity"和"Memory Stick HG Micro"。其中"Extended High Capacity"格式将扩展目前索尼所用的"Memory Stick PRO"格式，它将是一种大容量存储格式，数据存储量最高可达2TB。
而"HG Micro"格式则专注于高速数据传输技术，它的传输速度可以高达60Mbps，它将是目前传输速率最快的小型存储卡。
记忆棒通常会应用于各种消费电子产品，比如高清数码相机、数字单反相机以及摄像机等等。如果将闪存记忆棒的容量提升到TB级以上，索尼和SanDisk就可以将它们应用到其他的领域。
但是低容量记忆棒仍是当前的主流产品，高容量记忆棒可能还需若干年才能问世。 SanDisk发言人表示，更高容量的驱动器不会在今年问世。
虽然将NAND闪存的容量一下子从32GB提升到2TB看似有些冒进，但是Convergent Semiconductors的首席分析师Bob Merritt表示，NAND的发展速度实际上比标准DRAM内存的发展速度要快一些。
他表示："NAND的单元结构的生产工艺比DRAM单元结构的生产工艺要简单一些，现在DRAM单元结构的生产工艺还停留在50纳米水平，而NAND单元结构的生产工艺已经达到30到40纳米水平，并正向光刻技术级迈进。从单位比特成本的角度来说，NAND的成本下降速度比标准DRAM要快得多，这样就推动了NAND技术的更快发展和应用。"
Merritt相信，从长远的角度来说，NAND技术将走向更高容量等级并进入数据中心应用领域。三星和其他许多厂商一直在通过固态盘的方式向这个方向努力。 Merritt引述IBM学报的内容称，硬盘存储已经跟不上半导体的发展速度，因此非易失性存储技术在整个市场上的份额将越来越大。
虽然闪存固态盘技术有可能成为今年的主流技术，但是这项技术今后还需接受更多的实践检验。
Merritt解释说："在占空度有限的情况下，数据中心的内存是无法满足需求的。"随机存储可以无限使用，但是NAND闪存的使用时间是有限的。 他说："因此业内从未给OEM定义过要求。因此这个问题看起来才会比实际上更为严重。 OEM厂商们并不能确定它对支持客户有什么意义。"
这对于它们来说是个坏消息。如果客户在临界任务环境下使用固态盘产品，那么OEM厂商就会因为销售不成熟产品而遭到指责或起诉，内存厂商也会因那些产品而遭到指责或起诉。
Merritt表示："闪存硬盘的问题在于用户可以擦除单个单元中的数据的次数。这个领域需要解决的问题很多，但是如果我们说的是更换巨大的硬盘驱动器，那么半导体行业面临的问题就主要是一个驱动器可以擦除和复写数据的次数。"
