随着各个行业出现“缺芯”潮后，台积电在全球经济作用越发突出。台积电在近日召开的国际固态电路研讨会ISSCC 2021中，董事长刘德音表示3nm制程技术进度超前，预计会在今年下半年进入试产。
刘德音指出，3nm制程技术较5nm制程，将可让电晶体密度提高70%，或令电功耗降低27%，3nm制程将于今年下半年进入试产，并且在2022年正式用于量产。
在去年8月，台积电表示正研发4nm及3nm制程，计划2022年量产，是次则是确定率先攻破3nm制程。
台积电有这样的部署并非无原因。三星电子是目前除了台积电之外，能够量产5nm制程的半导体公司，在今年7月，三星计划直接跳过4nm先进制程，转向3nm制程的量产，并预计2022年量产。这样两企业想抢占3nm制程先发者地位的意味更浓。
台积电与三星在3nm制程所用的技术各不相同。三星在3nm制程技术导入环绕式闸极结构(GAA)电晶体，台积电在第一代3nm制程技术依然采用鳍式场效(FinFET)电晶体设计。不过，近日从供应链传出，由于三星采用GAA技术生产，难度较台积电的方法更大，因此3nm制程进度或要延迟一季。
