周二，美光表示已经开始使用其最新的1α工艺技术批量生产DRAM 芯片。初期美光会把新节点用于LPDDR4X和8Gb DDR4内存 IC，但最终会将新技术用于制造所有的DRAM。
与竞争对手不同的是，美光至少在几年内不打算使用极紫外 (EUV) 光刻技术。但为了增加其存储芯片的密度和降低单位比特成本，美光要依靠其他创新缩小DRAM的尺寸。美光的1α节点与 1Z相比，比特位密度提高40%，功耗降低15%。1α节点还提供更高的性能潜力。
美光还必须改进阵列效率设计和使用新材料，包括更好的导体、绝缘体，还有新设备来沉积、调整或选择性去除相关材料。
美光的8Gb DDR4芯片已经批量发售，是首款采用其1α节点的芯片。6月中下旬开始出货使用1α节点制造的LPDDR4X芯片。美光最终会将几乎所有DRAM都过渡到1α工艺，包括 DDR5、HBM2E和GDDR6/GDDR6X。
目前，美光在台湾省的A3晶圆厂采用了1α技术。未来美光会在其它晶圆厂采用新技术。除此之外美光还完成了基于1α节点的DDR4在最新服务器平台上的认证，包括AMD的第三代EPYC代号Milan（米兰）的处理器。芯片还可用于笔记本电脑。
