512GB 容量 DDR5 模块由 8 层硅通孔 (TSV) 结构组成，HKMG 材料可降低 13% 的能耗，同时其速度是DDR4的两倍。
三星电子宣布已利用基于高介电常数金属闸极 (HKMG) 工艺技术的 512GB DDR5 模块扩展了 DDR5 DRAM 存储产品组合。新款 DDR5 的性能可达 DDR4 的两倍以上，最高可达每秒 7200 兆比特 (Mbps)。
三星 DDR5 将采用 HKMG 技术，该技术传统上用于逻辑半导体。随着 DRAM 结构的不断变小，绝缘层变薄，导致泄漏电流升高。通过使用HKMG材料替代绝缘体，三星 DDR5 将能够减少泄漏，并在性能上达到新的高度。这种新内存的功耗也将减少约 13%，因此特别适合能源效率日益重要的数据中心。
HKMG 工艺于 2018 年在三星的 GDDR6 内存中采用。通过扩大其在 DDR5 中的使用，三星进一步巩固了其在下一代 DRAM 技术领域的地位。
三星 DDR5 通过硅通孔 (TSV) 技术，将 8 层16Gb DRAM 芯片堆叠起来，提供容量为 512GB 的芯片。TSV 于 2014 年在 DRAM 中使用，当时，三星推出了容量高达 256GB 的服务器模块。
三星目前正在对其 DDR5 内存产品系列的不同变体进行抽样，以供客户验证，并最终使用其优质产品进行认证，以加速 AI/ML、超大规模计算、分析、网络和其他数据密集型工作负载。
