近期，Blocks&Files与三星副总裁DRAM内存规划&支持组负责人Young-Soo Sohn就DRAM、高带宽内存 (HBM)的发展进行了如下问答。
提问：美光对支持未来内存节点的事曾有过报道，三星可以支持哪些内存节点？1Z, 1 α, 1 β还是1 γ？
回答：三星近期推出了基于极紫光刻机技术的14nm DRAM。通过把光刻机的层数提升到5层，能生产出现今尺寸最小，速度前所未有的DRAM节点，计划今年下半年量产基于14nm的DDR5。
另外，我们还在开发新一代工艺节点适应行业内对密度、性能和功耗等要求严苛的应用。
*三星是业内首家在 DRAM 生产中采用 EUV 的公司。 EUV 技术减少了多重图案化中的重复步骤并提高了图案化精度，从而提高了性能并缩短了开发时间。
提问：三星对于DDR5的规划是什么？
回答：已向客户提供样品，并且计划今年下半年量产。
三星正在与行业利益相关者密切合作，在丰富的高性能应用中部署DDR5产品。目前我们正在把DDR5产品系列样品提供给客户，并且不久之后证实他们的尖端产品加速AI/机器学习，超算，分析，网络等数据密集型工作负载。
提问：HBM相比DRAM在容量方面的优势
回答：因迭代而异。当前HBM2E标准（第二代 HBM2 扩展版）最高可支持8个堆栈，HBM2E SiP将能够提供128GB的容量。但实际上，目前可用的HBM2E最高容量为16GB。HBM3标准（目前开发中）有望扩展堆叠能力——结合不断增加的设备密度，产生最高的容量。
提问：HBM 相比DRAM在带宽上的优势
回答：HBM 在总线带宽和处理速度上优势最为明显。从第一代以来，HBM标准支持1024比特位总线带宽，GDDR仅支持32位，标准HBM2E信号速率为3.6 Gb (Gb/sec/pin)，每个堆栈的带宽最高可达每秒460 GB。在HBM3开发阶段，期望实现高达6.4Gb/sec 的快速处理速度——远远超出许多预期。
与容量情况不同，三星的 HBM2E Flashbolt 设备实际带宽已经超出了标准。相比之下，GDDR第六代DRAM标准指定数据速率为16Gb/秒。对于一个有4096比特位内存接口的处理器，如 GPU和FPGA，八个 Flashbolt 堆栈组合可以提供128GB的内存和3.68TB/秒的峰值带宽——远远超过传统的DRAM。
提问：HBM会支持哪些CPU？至强？AMD？ARM？RISC-V？
回答：三星正在与各类CPU开发人员合作。对于ARM，富士通正在供应，至强/RISC-V目前正在开发中。
最后
三星在DDR5和DDR6内存方面非常活跃，还大力开发其HBM和HBM-PIM 堆叠存储技术产品，并且正在考虑支持X86、Arm 和RISC-V处理器。HBM-Arm和HBM-RISC-V将与至强-HBM系统形成有趣的竞争关系，尤其在具有低延迟、数据密集型处理需求的边缘环境里。
