初创公司Neo Semiconductor之前推出了X-NAND技术，能将NAND裸片切割成多个平行平面（plane）来加速IO。据说已经推出了第二代技术，能再次提升访问速度。
该技术采用具有两到四个访问平面的基础NAND芯片。每个平面分为4到16个子平面，每个子平面并行访问。页面缓冲区用于优化数据吞吐速度。其介绍手册中称，初代技术共有四个平面用于SLC/TLC并行编程。输入数据被编程到三个平面中的三个SLC字线，然后被编程到第四平面中的TLC字线。
因此，初代X-NAND SSD能提供 1600MB/秒的顺序写入吞吐量，而基础的SSD的吞吐量是160MB/秒。
第二代X-NAND技术是把两个平面用于SLC/TLC并行编程。输入数据像以前一样被编程到三个SLC字线，但现在只在一个平面中，然后被编程到第二个平面中的 TLC 字线。这使得数据写入能以更少的平面并行，并且X-NAND通过更大容量和更低成本的QLC内存提供类似SLC的性能。
Neo Semiconductor表示，X-NAND第2代可提供3200MB/秒的顺序写入吞吐量，比现有SSD快20倍，但未透露延迟变化。
据说还提供3倍的基本随机读/写速度，并且裸片尺寸怎么增加。不过到目前为止，我们还没有听说任何NAND制造商使用 Neo的X-NAND 技术。
