SK hynix通过在CPU和DRAM之间增加缓冲器来提升DDR5内存的速度，缓冲器可接受两端的并行读取。
DDR5多路复用器组合列（MCR）双线内存模块（DIMM）采用Renesas的缓冲器和英特尔的MCR技术进行开发。SK海力士表示，DDR5 DIMM传输速率是4.8Gbps，其MCR DIMM至少比这个速度快80%。
SK海力士的DRAM产品规划部负责人，Sungsoo Ryu称，SK海力士通过开发世界上最快的MCR DIMM为DDR5带来了又一次技术变革。
一个DIMM是在主板上加上几个内存芯片。DDR5的带宽和容量是之前DDR4标准的两倍。早在2018年11月，SK海力士就发售了其第一批DDR5模块。
DRAM的速度和容量越大，服务器和PC的CPU就能做更多的工作，不需要等待内存内容被读取或写入。DDR5内存划分成不同列，作为内存的一部分，一个内存列可以向CPU以捆绑方式传输64个字节的数据。MCR DIMM是模块产品，由多个DRAM芯片连接在电路板上，支持两个行列同时运行，速度得到了有效提升。
SK海力士 MCR DIMM示意图
通过这种操作，SK行里说的MCR DIMM能在一次操作中向CPU传输128字节的数据，不过传输速率能达到8Gbps，没到4.8Gbps的两倍。
SK海力士、Renesas和英特尔MCR DIMM的开发工作从2019年开始进行。SK海力士表示，MCR DIMMs的一个重要市场可能是高性能计算，其正计划在未来将该产品推向规模化生产，但并未透露发售日期。
英特尔内存和IO技术副总裁，Dimitrios Ziakas博士表示期待将这项技术引入未来新一代英特尔至强处理器，支持行业标准化和迭代开发工作。也就是说，非英特尔处理器在未来也可能会支持这项技术。
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